Características da epitaxia de silício

As características da epitaxia de silício são as seguintes:

Alta pureza: A camada epitaxial de silício cultivada por deposição química de vapor (CVD) tem pureza extremamente alta, melhor planicidade superficial e menor densidade de defeitos do que os wafers tradicionais.

Uniformidade do filme fino: A epitaxia do silício pode formar um filme fino muito uniforme sob uma certa taxa de crescimento garantida. Ao mesmo tempo, a uniformidade do aquecimento pode ser alcançada, reduzindo assim os defeitos da estrutura cristalina e melhorando a qualidade do cristal.

Forte controlabilidade: a tecnologia de epitaxia de silício pode controlar com precisão a morfologia, o tamanho e a estrutura dos materiais de silício e pode desenvolver estruturas cristalinas complexas, como heterojunções multicamadas.

Grande diâmetro de wafer: A tecnologia de crescimento epitaxial de silício pode fazer crescer wafers de silício com grandes diâmetros, e a capacidade de produzir wafers de silício de grande diâmetro é crucial para a produção de semicondutores.

Confiabilidade do processo: O processo epitaxial de silício pode ser reutilizado muitas vezes, o que é de grande importância para a produção em massa de dispositivos semicondutores.