Peça meia-lua de 8 polegadas para fábrica de reator LPE
Fabricante de disco de rotação planetária revestido de carboneto de tântalo
Anel de foco de gravação SiC sólido chinês
Susceptor de barril revestido de SiC para fornecedor LPE PE2061S

Revestimento de carboneto de tântalo

Revestimento de carboneto de tântalo

A VeTek semiconductor é fabricante líder de materiais de revestimento de carboneto de tântalo para a indústria de semicondutores. Nossas principais ofertas de produtos incluem peças de revestimento de carboneto de tântalo CVD, peças de revestimento TaC sinterizadas para crescimento de cristal SiC ou processo de epitaxia semicondutora. Aprovado pela ISO9001, a VeTek Semiconductor tem um bom controle de qualidade. A VeTek Semiconductor se dedica a se tornar inovadora na indústria de revestimento de carboneto de tântalo por meio de pesquisa e desenvolvimento contínuos de tecnologias iterativas.

Os principais produtos são anel desertor de revestimento de carboneto de tântalo, anel de desvio revestido com TaC, peças de meia-lua revestidas com TaC, disco de rotação planetária revestido com carboneto de tântalo (Aixtron G10), cadinho revestido com TaC; Anéis revestidos com TaC; Grafite Porosa Revestida com TaC; Susceptor de grafite com revestimento de carboneto de tântalo; Anel guia revestido com TaC; Placa revestida de carboneto de tântalo TaC; Susceptor de Wafer Revestido com TaC; Anel de Revestimento TaC; Cobertura de grafite com revestimento TaC; Pedaço revestido com TaC etc., a pureza está abaixo de 5 ppm, pode atender às necessidades do cliente.

O grafite de revestimento TaC é criado revestindo a superfície de um substrato de grafite de alta pureza com uma fina camada de carboneto de tântalo por um processo proprietário de Deposição Química de Vapor (CVD).


O revestimento de carboneto de tântalo (TaC) tem ganhado atenção devido ao seu alto ponto de fusão de até 3880°C, excelente resistência mecânica, dureza e resistência a choques térmicos, tornando-o uma alternativa atraente para compostos de processos de epitaxia de semicondutores com requisitos de temperatura mais elevados, como o sistema Aixtron MOCVD e o processo de epitaxia LPE SiC. Ele também tem uma ampla aplicação no processo de crescimento de cristal SiC do método PVT.


Parâmetro do revestimento de carboneto de tântalo semicondutor VeTek:

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade 14,3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3 10-6/K
Dureza (HK) 2.000 Hong Kong
Resistência 1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500℃
Mudanças no tamanho do grafite -10~-20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um±10um)


Dados EDX de revestimento TaC


Dados da estrutura cristalina do revestimento TaC

Elemento Porcentagem atômica
Pt. 1 Pt. 2 Pt. 3 Média
CK 52.10 57.41 52.37 53.96
Ta M 47.90 42.59 47.63 46.04


Revestimento de carboneto de silício

Revestimento de carboneto de silício

A VeTek Semiconductor é especializada na produção de produtos de revestimento de carboneto de silício ultrapuros. Esses revestimentos são projetados para serem aplicados em grafite purificada, cerâmica e componentes de metal refratário.

Nossos revestimentos de alta pureza são direcionados principalmente para uso nas indústrias de semicondutores e eletrônicos. Eles servem como uma camada protetora para transportadores de wafers, susceptores e elementos de aquecimento, protegendo-os de ambientes corrosivos e reativos encontrados em processos como MOCVD e EPI. Esses processos são essenciais para o processamento de wafers e fabricação de dispositivos. Além disso, nossos revestimentos são adequados para aplicações em fornos a vácuo e aquecimento de amostras, onde são encontrados ambientes de alto vácuo, reativos e de oxigênio.

Na VeTek Semiconductor, oferecemos uma solução abrangente com nossos recursos avançados de oficina mecânica. Isso nos permite fabricar os componentes básicos usando grafite, cerâmica ou metais refratários e aplicar os revestimentos cerâmicos SiC ou TaC internamente. Também fornecemos serviços de revestimento para peças fornecidas pelo cliente, garantindo flexibilidade para atender diversas necessidades.

Nossos produtos de revestimento de carboneto de silício são amplamente utilizados em epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, processo RTP/RTA, processo de gravação, processo de gravação ICP/PSS, processo de vários tipos de LED, incluindo LED azul e verde, LED UV e UV profundo LED etc., que é adaptado a equipamentos LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI e assim por diante.


Revestimento de carboneto de silício com várias vantagens exclusivas:


Parâmetro de revestimento de carboneto de silício semicondutor VeTek:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura de cristal FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade 3,21g/cm³
Dureza Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão 2~10μm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação 2700°C
Resistência à Flexão 415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica 300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


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Sobre nós

VeTek semiconductor Technology Co., LTD, fundada em 2016, é fornecedora líder de materiais de revestimento avançados para a indústria de semicondutores. Nosso fundador, um ex-especialista do Instituto de Materiais da Academia Chinesa de Ciências, fundou a empresa com foco no desenvolvimento de soluções de ponta para a indústria.

Nossas principais ofertas de produtos incluemRevestimentos de carboneto de silício (SiC) CVD, revestimentos de carboneto de tântalo (TaC), SiC a granel, pós de SiC e materiais de SiC de alta pureza. Os principais produtos são susceptor de grafite revestido com SiC, anéis de pré-aquecimento, anel de desvio revestido com TaC, peças de meia-lua, etc., a pureza está abaixo de 5 ppm, pode atender às necessidades do cliente.

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