Peça meia-lua de 8 polegadas para fábrica de reator LPE

Fabricante de disco de rotação planetária revestido de carboneto de tântalo

Anel de foco de gravação SiC sólido chinês

Susceptor de barril revestido de SiC para fornecedor LPE PE2061S

Revestimento de carboneto de tântalo

A VeTek semiconductor é fabricante líder de materiais de revestimento de carboneto de tântalo para a indústria de semicondutores. Nossas principais ofertas de produtos incluem peças de revestimento de carboneto de tântalo CVD, peças de revestimento TaC sinterizadas para crescimento de cristal SiC ou processo de epitaxia semicondutor. Aprovado pela ISO9001, a VeTek Semiconductor tem um bom controle de qualidade. A VeTek Semiconductor se dedica a se tornar inovadora na indústria de revestimento de carboneto de tântalo por meio de pesquisa e desenvolvimento contínuos de tecnologias iterativas.

Os principais produtos sãoAnel defeituoso com revestimento de carboneto de tântalo, anel de desvio revestido com TaC, peças em meia-lua revestidas com TaC, disco de rotação planetária revestido com carboneto de tântalo (Aixtron G10), cadinho revestido com TaC; Anéis revestidos com TaC; Grafite Porosa Revestida com TaC; Susceptor de grafite com revestimento de carboneto de tântalo; Anel guia revestido com TaC; Placa revestida de carboneto de tântalo TaC; Susceptor de Wafer Revestido com TaC; Anel de Revestimento TaC; Cobertura de grafite com revestimento TaC; Pedaço revestido com TaCetc., a pureza está abaixo de 5 ppm, pode atender às necessidades do cliente.

O grafite de revestimento TaC é criado revestindo a superfície de um substrato de grafite de alta pureza com uma fina camada de carboneto de tântalo por um processo proprietário de Deposição Química de Vapor (CVD).

Excellent properties of TaC coating graphite

O revestimento de carboneto de tântalo (TaC) tem ganhado atenção devido ao seu alto ponto de fusão de até 3880°C, excelente resistência mecânica, dureza e resistência a choques térmicos, tornando-o uma alternativa atraente para compostos de processos de epitaxia de semicondutores com requisitos de temperatura mais elevados, como o sistema Aixtron MOCVD e o processo de epitaxia LPE SiC. Ele também tem uma ampla aplicação no processo de crescimento de cristal SiC do método PVT.

Principais recursos:

●Estabilidade de temperatura

●Pureza ultra-alta

●Resistência a H2, NH3, SiH4,Si

●Resistência ao estoque térmico

●Forte adesão ao grafite

●Cobertura de revestimento isolante

● Tamanho de até 750 mm de diâmetro (o único fabricante na China atinge esse tamanho)

Aplicativos:

●Porta-wafers

● Susceptor de aquecimento indutivo

● Elemento de aquecimento resistivo

●Disco satélite

●Chuveiro

●Anel guia

●Receptor LED Epi

●Bocal de injeção

●Anel de mascaramento

● Escudo térmico

Revestimento de carboneto de tântalo (TaC) em uma seção transversal microscópica:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

Parâmetro do revestimento de carboneto de tântalo semicondutor VeTek:

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade	14,3 (g/cm³)
Emissividade específica	0.3
Coeficiente de expansão térmica	6,3 10^-6/K
Dureza (HK)	2.000 Hong Kong
Resistência	1x10^-5Ohm*cm
Estabilidade térmica	<2500℃
Mudanças no tamanho do grafite	-10~-20um
Espessura do revestimento	≥20um valor típico (35um±10um)

Dados EDX de revestimento TaC：

EDX data of TaC coating

Dados da estrutura cristalina do revestimento TaC:

Elemento	Porcentagem atômica
	Pt. 1	Pt. 2	Pt. 3	Média
CK	52.10	57.41	52.37	53.96
Eles	47.90	42.59	47.63	46.04

Mandril de revestimento TaC Disco Planetário com Revestimento TaC Placa revestida TaC Placa de rotação de revestimento TaC Receptor de revestimento TaC Cobertura de revestimento CVD TaC Anel de revestimento CVD TaC Placa de revestimento TaC

Revestimento de carboneto de silício

A VeTek Semiconductor é especializada na produção de produtos de revestimento de carboneto de silício ultrapuros. Esses revestimentos são projetados para serem aplicados em grafite purificado, cerâmica e componentes de metal refratário.

Nossos revestimentos de alta pureza são direcionados principalmente para uso nas indústrias de semicondutores e eletrônicos. Eles servem como uma camada protetora para transportadores de wafers, susceptores e elementos de aquecimento, protegendo-os de ambientes corrosivos e reativos encontrados em processos como MOCVD e EPI. Esses processos são essenciais para o processamento de wafers e fabricação de dispositivos. Além disso, nossos revestimentos são adequados para aplicações em fornos a vácuo e aquecimento de amostras, onde são encontrados ambientes de alto vácuo, reativos e de oxigênio.

Na VeTek Semiconductor, oferecemos uma solução abrangente com nossos recursos avançados de oficina mecânica. Isso nos permite fabricar os componentes básicos usando grafite, cerâmica ou metais refratários e aplicar os revestimentos cerâmicos SiC ou TaC internamente. Também fornecemos serviços de revestimento para peças fornecidas pelo cliente, garantindo flexibilidade para atender diversas necessidades.

Nossos produtos de revestimento de carboneto de silício são amplamente utilizados em epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, processo RTP/RTA, processo de gravação, processo de gravação ICP/PSS, processo de vários tipos de LED, incluindo LED azul e verde, LED UV e UV profundo LED etc., que é adaptado a equipamentos LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI e assim por diante.

Peças do reator que podemos fazer:

Revestimento de carboneto de silício com várias vantagens exclusivas:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

Parâmetro de revestimento de carboneto de silício semicondutor VeTek:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de Sublimação	2700°C
Resistência Flexural	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

Bolacha

Substrato de waferé um wafer feito de material semicondutor de cristal único. O substrato pode entrar diretamente no processo de fabricação de wafers para produzir dispositivos semicondutores ou pode ser processado pelo processo epitaxial para produzir wafers epitaxiais.

O substrato Wafer, como estrutura básica de suporte de dispositivos semicondutores, afeta diretamente o desempenho e a estabilidade dos dispositivos. Como "base" para a fabricação de dispositivos semicondutores, uma série de processos de fabricação, como crescimento de filme fino e litografia, precisam ser realizados no substrato.

Resumo dos tipos de substrato:

●Wafer de silício de cristal único: atualmente o material de substrato mais comum, amplamente utilizado na fabricação de circuitos integrados (CIs), microprocessadores, memórias, dispositivos MEMS, dispositivos de potência, etc.;

●Substrato SOI: usado para circuitos integrados de alto desempenho e baixo consumo de energia, como circuitos analógicos e digitais de alta frequência, dispositivos de RF e chips de gerenciamento de energia;

●Substratos semicondutores compostos: Substrato de arsenieto de gálio (GaAs): dispositivos de comunicação de microondas e ondas milimétricas, etc. Substrato de nitreto de gálio (GaN): usado para amplificadores de potência de RF, HEMT, etc.Substrato de carboneto de silício (SiC): utilizado para veículos elétricos, conversores de energia e outros dispositivos de energia Substrato de fosfeto de índio (InP): utilizado para lasers, fotodetectores, etc.;

●Substrato de safira: utilizado para fabricação de LED, RFIC (circuito integrado de radiofrequência), etc.;

A Vetek Semiconductor é um fornecedor profissional de substrato SiC e substrato SOI na China. NossoSubstrato SiC tipo semi-isolante 4HeSubstrato de SiC tipo semi-isolante 4Hsão amplamente utilizados em componentes-chave de equipamentos de fabricação de semicondutores.

A Vetek Semiconductor está comprometida em fornecer produtos avançados e personalizáveis de substrato Wafer e soluções técnicas de diversas especificações para a indústria de semicondutores. Esperamos sinceramente nos tornar seu fornecedor na China.

ALD

Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).

Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.

Atomic layer deposition process:

Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.

Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.

Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.

1st Half-Cycle Purge 2nd Half-Cycle Purge

Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):

1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes

Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.

Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:

PVD technology	CVD technology	ALD technology
Faster deposition rate	Average deposition rate	Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision	Medium film thickness (depends on the number of reaction cycles)	Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality	The coating has a single directionality	Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity	Average step coverage	Best step coverage
Poor step coverage	\	Dense film without pinholes

Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)

Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.

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Sobre nós

VeTek semiconductor Technology Co., LTD, fundada em 2016, é fornecedora líder de materiais de revestimento avançados para a indústria de semicondutores. Nosso fundador, um ex-especialista do Instituto de Materiais da Academia Chinesa de Ciências, fundou a empresa com foco no desenvolvimento de soluções de ponta para a indústria.

Nossas principais ofertas de produtos incluemRevestimentos de carboneto de silício (SiC) CVD, revestimentos de carboneto de tântalo (TaC), SiC a granel, pós de SiC e materiais de SiC de alta pureza. Os principais produtos são susceptor de grafite revestido com SiC, anéis de pré-aquecimento, anel de desvio revestido com TaC, peças de meia-lua, etc., a pureza está abaixo de 5 ppm, pode atender às necessidades do cliente.

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