Como preparar o revestimento CVD TaC?

Revestimento CVD TaCé um importante material estrutural de alta temperatura com alta resistência, resistência à corrosão e boa estabilidade química. Seu ponto de fusão chega a 3880 ℃ e é um dos compostos mais resistentes à temperatura. Possui excelentes propriedades mecânicas em alta temperatura, resistência à erosão por fluxo de ar em alta velocidade, resistência à ablação e boa compatibilidade química e mecânica com grafite e materiais compósitos de carbono/carbono.

Portanto, noProcesso epitaxial MOCVDde dispositivos de energia GaNLEDs e Sic,Revestimento CVD TaCtem excelente resistência a ácidos e álcalis a H2, HC1 e NH3, que pode proteger completamente o material da matriz de grafite e purificar o ambiente de crescimento.

O revestimento CVD TaC ainda é estável acima de 2.000 ℃, e o revestimento CVD TaC começa a se decompor em 1200-1400 ℃, o que também melhorará muito a integridade da matriz de grafite. Todas as grandes instituições usam CVD para preparar revestimento CVD TaC em substratos de grafite e aumentarão ainda mais a capacidade de produção de revestimento CVD TaC para atender às necessidades de dispositivos de energia SiC e equipamentos epitaxiais GaNLEDS.

O processo de preparação do revestimento CVD TaC geralmente usa grafite de alta densidade como material de substrato e prepara sem defeitosRevestimento CVD TaCna superfície de grafite pelo método CVD.

O processo de realização do método CVD para preparar o revestimento CVD TaC é o seguinte: a fonte sólida de tântalo colocada na câmara de vaporização sublima em gás a uma certa temperatura e é transportada para fora da câmara de vaporização por uma certa taxa de fluxo de gás transportador Ar. A uma certa temperatura, a fonte gasosa de tântalo encontra-se e mistura-se com o hidrogénio para sofrer uma reação de redução. Finalmente, o elemento de tântalo reduzido é depositado na superfície do substrato de grafite na câmara de deposição e ocorre uma reação de carbonização a uma determinada temperatura.

Os parâmetros do processo, como temperatura de vaporização, vazão de gás e temperatura de deposição no processo de revestimento CVD TaC, desempenham um papel muito importante na formação deRevestimento CVD TaC.

O revestimento CVD TaC com orientação mista foi preparado por deposição química isotérmica de vapor a 1800°C usando um sistema TaCl5 – H2 – Ar – C3H6.

A Figura 1 mostra a configuração do reator de deposição química de vapor (CVD) e o sistema de distribuição de gás associado para deposição de TaC.

A Figura 2 mostra a morfologia superficial do revestimento CVD TaC em diferentes ampliações, mostrando a densidade do revestimento e a morfologia dos grãos.

A Figura 3 mostra a morfologia da superfície do revestimento CVD TaC após a ablação na área central, incluindo limites de grão turvos e óxidos fundidos fluidos formados na superfície.

A Figura 4 mostra os padrões de DRX do revestimento CVD TaC em diferentes áreas após a ablação, analisando a composição de fases dos produtos de ablação, que são principalmente β-Ta2O5 e α-Ta2O5.