Grafite porosa de crescimento de cristal SiC

SiC Crystal Growth Porous Graphite é um material feito de grafite poroso com uma estrutura de poros altamente controlável. No processamento de semicondutores, apresenta excelente condutividade térmica, resistência a altas temperaturas e estabilidade química, por isso é amplamente utilizado na deposição física de vapor, deposição química de vapor e outros processos, melhorando significativamente a eficiência do processo de produção e a qualidade do produto, tornando-se um semicondutor otimizado. Materiais críticos para o desempenho do equipamento de fabricação.

No processo PVD, a grafite porosa de crescimento de cristal de SiC é geralmente usada como suporte ou acessório de substrato. Sua função é sustentar o wafer ou outros substratos e garantir a estabilidade do material durante o processo de deposição. A condutividade térmica do Grafite Poroso está geralmente entre 80 W/m·K e 120 W/m·K, o que permite que o Grafite Poroso conduza o calor de forma rápida e uniforme, evitando o superaquecimento local, evitando assim a deposição irregular de filmes finos, melhorando significativamente a eficiência do processo. .

Além disso, a faixa típica de porosidade da grafite porosa de crescimento de cristal de SiC é de 20% a 40%. Esta característica pode ajudar a dispersar o fluxo de gás na câmara de vácuo e evitar que o fluxo de gás afete a uniformidade da camada de filme durante o processo de deposição.

No processo CVD, a estrutura porosa do SiC Crystal Growth Porous Graphite fornece um caminho ideal para distribuição uniforme de gases. O gás reativo é depositado na superfície do substrato através de uma reação química em fase gasosa para formar uma película fina. Este processo requer controle preciso do fluxo e distribuição do gás reativo. A porosidade de 20% ~ 40% do Grafite Poroso pode guiar efetivamente o gás e distribuí-lo uniformemente na superfície do substrato, melhorando a uniformidade e consistência da camada de filme depositada.

A grafite porosa é comumente usada como tubos de forno, transportadores de substrato ou materiais de máscara em equipamentos CVD, especialmente em processos de semicondutores que exigem materiais de alta pureza e têm requisitos extremamente elevados para contaminação por partículas. Ao mesmo tempo, o processo CVD geralmente envolve altas temperaturas, e a Grafite Porosa pode manter sua estabilidade física e química em temperaturas de até 2500°C, tornando-se um material indispensável no processo CVD.

Apesar de sua estrutura porosa, o SiC Crystal Growth Porous Graphite ainda possui uma resistência à compressão de 50 MPa, o que é suficiente para lidar com o estresse mecânico gerado durante a fabricação de semicondutores.

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Propriedades físicas básicas da grafite porosa de crescimento de cristal SiC:

Lojas de produtos de grafite porosa de crescimento de cristal VeTek Semiconductor SiC:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores: