VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor profissional, dedicado a fornecer pó de carboneto de silício ultra puro de alta qualidade para crescimento de cristais. Com uma pureza de até 99,999% em peso e níveis extremamente baixos de impurezas de nitrogênio, boro, alumínio e outros contaminantes, ele foi projetado especificamente para aprimorar as propriedades semi-isolantes do carboneto de silício de alta pureza. Bem-vindo a perguntar e cooperar conosco!
Como fabricante profissional, a VeTek Semiconductor gostaria de fornecer pó de carboneto de silício ultra puro de alta qualidade para crescimento de cristais.
A VeTek Semiconductor é especializada em fornecer pó de carboneto de silício ultrapuro para crescimento de cristais com vários níveis de pureza. Contate-nos hoje para saber mais e receber uma cotação. Eleve sua pesquisa e desenvolvimento de semicondutores com os produtos de alta qualidade da VeTek Semiconductor.
O pó de carboneto de silício ultrapuro VeTek Semiconductor para crescimento de cristais é preparado usando um método de reação em fase sólida de alta temperatura, utilizando pó de silício de alta pureza e pó de carbono de alta pureza como matérias-primas. Com uma pureza de até 99,999% em peso e níveis extremamente baixos de impurezas de nitrogênio, boro, alumínio e outros contaminantes, ele foi projetado especificamente para aprimorar as propriedades semi-isolantes do carboneto de silício de alta pureza.
A pureza do nosso pó de carboneto de silício de grau semicondutor atinge impressionantes 99,999%, tornando-o uma excelente matéria-prima para a produção de monocristais de carboneto de silício. O que diferencia nosso produto de outros no mercado é sua notável característica de crescimento de cristal em alta velocidade. Com taxas de crescimento de cristais atingindo 0,2-0,3 mm/h, reduz significativamente o tempo de crescimento de cristais e reduz os custos gerais de produção.
A qualidade do pó de carboneto de silício é crucial para alcançar um alto rendimento de crescimento de cristais e requer processos de fabricação precisos. Nossa tecnologia envolve separação térmica em diferentes estágios para remover impurezas de propriedades variadas, resultando em pó de carboneto de silício semi-isolante de alta pureza com baixo teor de nitrogênio. Ao processar ainda mais o pó em grânulos e utilizar técnicas de ciclagem térmica, atendemos aos requisitos de crescimento dimensional dos cristais de carboneto de silício. Esta tecnologia visa aprimorar as capacidades nacionais de pesquisa avançada de semicondutores, melhorar a autossuficiência de materiais, abordar monopólios internacionais e reduzir os custos de fabricação na indústria nacional de semicondutores de carboneto de silício, elevando, em última análise, sua competitividade global.