Susceptor MOCVD com revestimento TaC

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A epitaxia LED enfrenta desafios como controle de qualidade do cristal, seleção e combinação de materiais, projeto e otimização estrutural, controle e consistência de processo e eficiência de extração de luz. A escolha do material de suporte do wafer epitax correto é crucial, e revesti-lo com filme fino de carboneto de tântalo (TaC) (revestimento TaC) oferece vantagens adicionais.

Ao selecionar um material transportador de wafer epitaxia, vários fatores importantes precisam ser considerados:

Tolerância à temperatura e estabilidade química: Os processos de epitaxia do LED envolvem altas temperaturas e podem envolver o uso de produtos químicos. Portanto, é necessário escolher materiais com boa tolerância à temperatura e estabilidade química para garantir a estabilidade do transportador em ambientes químicos e de alta temperatura.

Planicidade da superfície e resistência ao desgaste: A superfície do suporte do wafer epitaxy deve ter um bom nivelamento para garantir contato uniforme e crescimento estável do wafer epitaxy. Além disso, a resistência ao desgaste é importante para evitar danos superficiais e abrasão.

Condutividade térmica: A escolha de um material com boa condutividade térmica ajuda a dissipar o calor de forma eficaz, mantendo uma temperatura de crescimento estável para a camada epitaxia e melhorando a estabilidade e consistência do processo.

A este respeito, o revestimento do transportador de wafer epitaxílico com TaC oferece as seguintes vantagens:

Estabilidade em altas temperaturas: O revestimento TaC apresenta excelente estabilidade em altas temperaturas, permitindo manter sua estrutura e desempenho durante processos de epitaxia em altas temperaturas e proporcionando tolerância superior à temperatura.

Estabilidade química: O revestimento TaC é resistente à corrosão de produtos químicos e atmosferas comuns, protegendo o transportador da degradação química e aumentando a sua durabilidade.

Dureza e resistência ao desgaste: O revestimento TaC possui alta dureza e resistência ao desgaste, fortalecendo a superfície do suporte do wafer epitaxídico, reduzindo danos e desgaste e prolongando sua vida útil.

Condutividade térmica: O revestimento TaC demonstra boa condutividade térmica, auxiliando na dissipação de calor, mantendo uma temperatura de crescimento estável para a camada de epitaxia e melhorando a estabilidade e consistência do processo.

Portanto, a escolha de um transportador de wafer epitaxílico com revestimento TaC ajuda a enfrentar os desafios da epitaxia LED, atendendo aos requisitos de ambientes químicos e de alta temperatura. Este revestimento oferece vantagens como estabilidade em altas temperaturas, estabilidade química, dureza e resistência ao desgaste e condutividade térmica, contribuindo para melhorar o desempenho, a vida útil e a eficiência de produção do transportador de wafer epitaxídico.

Propriedades físicas básicas do revestimento TaC:

Oficina de produção de semicondutores VeTek

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores: