A tecnologia de gravação na fabricação de semicondutores freqüentemente encontra problemas como efeito de carga, efeito de microranhura e efeito de carga, que afetam a qualidade do produto. As soluções de melhoria incluem otimizar a densidade do plasma, ajustar a composição do gás de reação, melhora......
consulte Mais informaçãoA sinterização por prensagem a quente é o principal método para a preparação de cerâmicas de SiC de alto desempenho. O processo de sinterização por prensagem a quente inclui: seleção de pó de SiC de alta pureza, prensagem e moldagem sob alta temperatura e alta pressão e, em seguida, sinterização. A ......
consulte Mais informaçãoOs principais métodos de crescimento do carboneto de silício (SiC) incluem PVT, TSSG e HTCVD, cada um com vantagens e desafios distintos. Materiais de campo térmico à base de carbono, como sistemas de isolamento, cadinhos, revestimentos de TaC e grafite porosa, melhoram o crescimento do cristal, for......
consulte Mais informaçãoO SiC possui alta dureza, condutividade térmica e resistência à corrosão, tornando-o ideal para a fabricação de semicondutores. O revestimento CVD SiC é criado por meio de deposição química de vapor, proporcionando alta condutividade térmica, estabilidade química e uma constante de rede corresponden......
consulte Mais informaçãoO carboneto de silício (SiC) é um material semicondutor de alta precisão conhecido por suas excelentes propriedades, como resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e alta resistência mecânica. Possui mais de 200 estruturas cristalinas, sendo o 3C-SiC o único tipo cúbico, oferecendo es......
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