O transportador de gravação ICP revestido com SiC da VeTek Semiconductor foi projetado para as aplicações de equipamentos de epitaxia mais exigentes. Feito de material de grafite ultrapuro de alta qualidade, nosso transportador de gravação ICP revestido com SiC tem uma superfície altamente plana e excelente resistência à corrosão para suportar condições adversas durante o manuseio. A alta condutividade térmica do suporte revestido com SiC garante uma distribuição uniforme do calor para excelentes resultados de gravação. A VeTek Semiconductor espera construir uma parceria de longo prazo com você.
Com anos de experiência na produção Transportador de gravação ICP revestido com SiC,VeTek Semiconductor pode fornecer uma ampla gama derevestido com SiCouRevestido com TaCpeças de reposição para a indústria de semicondutores. Além da lista de produtos abaixo, você também pode personalizar suas próprias peças exclusivas revestidas com SiC ou TaC de acordo com suas necessidades específicas.
O transportador de gravação ICP revestido com SiC da VeTek Semiconductor, também conhecido como transportadores ICP, transportadores PSS, transportadores RTP ou transportadores RTP, são componentes importantes usados em uma variedade de aplicações na indústria de semicondutores. A grafite revestida com carboneto de silício é o principal material usado para fabricar esses portadores de corrente. Possui alta condutividade térmica, mais de 10 vezes a condutividade térmica do substrato de safira. Esta propriedade, combinada com sua alta intensidade de campo elétrico e densidade máxima de corrente, levou à exploração do carboneto de silício como um substituto potencial para o silício em uma variedade de aplicações, particularmente em componentes semicondutores de alta potência. As placas portadoras de corrente SiC possuem alta condutividade térmica, tornando-as ideais paraProcessos de fabricação de LED.
Garantem uma dissipação de calor eficiente e proporcionam excelente condutividade elétrica, contribuindo para a produção de leds de alta potência. Além disso, essas placas transportadoras possuem excelenteresistência plasmáticae longa vida útil, garantindo desempenho confiável e vida útil no exigente ambiente de fabricação de semicondutores.
Propriedades físicas básicas deRevestimento CVD SiC | |
Propriedade | Valor típico |
Estrutura Cristalina | FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
Densidade | 3,21g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho do grão | 2~10μm |
Pureza Química | 99,99995% |
Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de Sublimação | 2700°C |
Resistência Flexural | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Condutividade Térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |