Receita de Deposição de Camada Atômica ALD

ALD espacial, deposição de camada atômica espacialmente isolada. A bolacha move-se entre diferentes posições e é exposta a diferentes precursores em cada posição. A figura abaixo é uma comparação entre ALD tradicional e ALD espacialmente isolada.

ALD temporal,deposição de camada atômica temporariamente isolada. A bolacha é fixada e os precursores são alternadamente introduzidos e removidos na câmara. Este método pode processar o wafer em um ambiente mais equilibrado, melhorando assim os resultados, como melhor controle da faixa de dimensões críticas. A figura abaixo é um diagrama esquemático do ALD Temporal.

Pare a válvula, feche a válvula. Comumente usado em，receitas, usadas para fechar a válvula da bomba de vácuo ou abrir a válvula de bloqueio da bomba de vácuo.

Precursor, precursor. Dois ou mais, cada um contendo os elementos do filme depositado desejado, são adsorvidos alternadamente na superfície do substrato, com apenas um precursor por vez, independentes um do outro. Cada precursor satura a superfície do substrato para formar uma monocamada. O precursor pode ser visto na figura abaixo.

Purga, também conhecida como purificação. Gás de purga comum, gás de purga.Deposição de camada atômicaé um método de depósito de filmes finos em camadas atômicas, colocando sequencialmente dois ou mais reagentes em uma câmara de reação para formar um filme fino através da decomposição e adsorção de cada reagente. Isto é, o primeiro gás de reação é fornecido de maneira pulsada para se depositar quimicamente dentro da câmara, e o primeiro gás de reação residual fisicamente ligado é removido por purga. Então, o segundo gás de reação também forma uma ligação química com o primeiro gás de reação, em parte através do processo de pulso e purga, depositando assim a película desejada no substrato. A purga pode ser vista na figura abaixo.

Ciclo. No processo de deposição da camada atômica, o tempo para cada gás de reação ser pulsado e purgado uma vez é chamado de ciclo.

Epitaxia da Camada Atômica.Outro termo para deposição de camada atômica.

Trimetilalumínio, abreviado como TMA, trimetilalumínio. Na deposição de camadas atômicas, o TMA é frequentemente usado como precursor para formar Al2O3. Normalmente, TMA e H2O formam Al2O3. Além disso, TMA e O3 formam Al2O3. A figura abaixo é um diagrama esquemático da deposição da camada atômica Al2O3, usando TMA e H2O como precursores.

3-aminopropiltrietoxissilano, referido como APTES, 3-aminopropiltrimetoxissilano. Emdeposição de camada atômica, APTES é frequentemente usado como precursor para formar SiO2. Normalmente, APTES, O3 e H2O formam SiO2. A figura abaixo é um diagrama esquemático do APTES.