Processo ALD significa processo Epitaxia da Camada Atômica. Os fabricantes de semicondutores e sistemas ALD da Vetek desenvolveram e produziram susceptores planetários ALD revestidos com SiC que atendem aos altos requisitos do processo ALD para distribuir uniformemente o fluxo de ar sobre o substrato. Ao mesmo tempo, o revestimento CVD SiC de alta pureza da Vetek Semiconductor garante pureza no processo. Bem-vindo para discutir a cooperação conosco.
Como fabricante profissional, a Vetek Semiconductor gostaria de fornecer a você um susceptor planetário ALD revestido com SiC.
O processo ALD, conhecido como Atomic Layer Epitaxy, representa o auge da precisão na tecnologia de deposição de filmes finos. A Vetek Semiconductor, em colaboração com os principais fabricantes de sistemas ALD, foi pioneira no desenvolvimento e fabricação de susceptores planetários ALD revestidos com SiC de última geração. Esses susceptores inovadores foram meticulosamente projetados para superar as rigorosas demandas do processo ALD, garantindo a distribuição uniforme do fluxo de ar em todo o substrato com precisão e eficiência incomparáveis.
Além disso, o compromisso da Vetek Semiconductor com a excelência é sintetizado pela utilização de revestimentos CVD SiC de alta pureza, garantindo um nível de pureza crucial para o sucesso de cada ciclo de deposição. Essa dedicação à qualidade não apenas aumenta a confiabilidade do processo, mas também eleva o desempenho geral e a reprodutibilidade dos processos ALD em diversas aplicações.
Controle preciso de espessura: obtenha espessura de filme subnanométrica com excelente repetibilidade controlando os ciclos de deposição.
Suavidade da superfície: A conformidade 3D perfeita e a cobertura de 100% dos degraus garantem revestimentos suaves que seguem completamente a curvatura do substrato.
Ampla aplicabilidade: Pode ser revestido em vários objetos, desde wafers a pós, adequado para substratos sensíveis.
Propriedades de materiais personalizáveis: Fácil personalização de propriedades de materiais para óxidos, nitretos, metais, etc.
Ampla janela de processo: Insensibilidade a variações de temperatura ou precursores, propícia à produção em lote com perfeita uniformidade de espessura de revestimento.
Convidamos você cordialmente a dialogar conosco para explorar possíveis colaborações e parcerias. Juntos, podemos desbloquear novas possibilidades e impulsionar a inovação no domínio da tecnologia de deposição de filmes finos.
Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC | |
Propriedade | Valor típico |
Estrutura de cristal | FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
Densidade | 3,21g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho de grão | 2~10μm |
Pureza Química | 99,99995% |
Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimação | 2700°C |
Resistência Flexural | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Condutividade térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |