A principal diferença entre epitaxia e deposição de camada atômica (ALD) reside nos mecanismos de crescimento do filme e nas condições de operação. Epitaxia refere-se ao processo de crescimento de uma película fina cristalina em um substrato cristalino com uma relação de orientação específica, mante......
consulte Mais informaçãoO revestimento CVD TAC é um processo para formar um revestimento denso e durável em um substrato (grafite). Este método envolve a deposição de TaC na superfície do substrato em altas temperaturas, resultando em um revestimento de carboneto de tântalo (TaC) com excelente estabilidade térmica e resist......
consulte Mais informaçãoÀ medida que o processo de carboneto de silício (SiC) de 8 polegadas amadurece, os fabricantes estão acelerando a mudança de 6 para 8 polegadas. Recentemente, ON Semiconductor e Resonac anunciaram atualizações na produção de SiC de 8 polegadas.
consulte Mais informaçãoCom a crescente demanda por materiais de SiC em eletrônica de potência, optoeletrônica e outros campos, o desenvolvimento da tecnologia de crescimento de cristal único de SiC se tornará uma área-chave de inovação científica e tecnológica. Como núcleo do equipamento de crescimento de cristal único de......
consulte Mais informaçãoO processo de fabricação do chip inclui fotolitografia, gravação, difusão, filme fino, implantação iônica, polimento químico-mecânico, limpeza, etc. Este artigo explica aproximadamente como esses processos são integrados em sequência para fabricar um MOSFET.
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