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Notícias da indústria
As empresas chinesas estão desenvolvendo chips de 5 nm com a Broadcom!
De acordo com notícias internacionais, duas fontes revelaram em 24 de junho que a ByteDance está trabalhando com a empresa norte-americana de design de chips Broadcom para desenvolver um processador de computação avançado de inteligência artificial (IA), que ajudará a ByteDance a garantir um forneci......
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Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: Espera-se que os chips SiC de 8 polegadas sejam colocados em produção em dezembro!
Como fabricante líder na indústria de SiC, a dinâmica relacionada da Sanan Optoelectronics tem recebido ampla atenção na indústria. Recentemente, a Sanan Optoelectronics divulgou uma série de desenvolvimentos mais recentes, envolvendo transformação de 8 polegadas, produção de novas fábricas de subst......
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Aplicação de peças de grafite revestidas com TaC em fornos de cristal único
No crescimento de monocristais de SiC e AlN usando o método de transporte físico de vapor (PVT), componentes cruciais como o cadinho, o porta-sementes e o anel guia desempenham um papel vital. Conforme ilustrado na Figura 2 [1], durante o processo PVT, o cristal semente é posicionado na região de te......
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Diferentes rotas técnicas do forno de crescimento epitaxial de SiC
Os substratos de carboneto de silício apresentam muitos defeitos e não podem ser processados diretamente. Um filme fino específico de cristal único precisa ser cultivado sobre eles por meio de um processo epitaxial para fazer wafers de chip. Esta película fina é a camada epitaxial. Quase todos os ......
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Material de epitaxia de carboneto de silício
O material da camada epitaxial de carboneto de silício é o carboneto de silício, que geralmente é usado para fabricar dispositivos eletrônicos e LEDs de alta potência. É amplamente utilizado na indústria de semicondutores devido à sua excelente estabilidade térmica, resistência mecânica e alta condu......
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