Substrato de SiC tipo 4H N

Semicondutores VetekSubstrato de SiC tipo 4H Nos produtos possuem excelentes propriedades elétricas, térmicas e mecânicas, portanto, este produto é amplamente utilizado no processamento de dispositivos semicondutores que requerem alta potência, alta frequência, alta temperatura e alta confiabilidade.

A intensidade do campo elétrico de ruptura do SiC tipo 4H N é tão alta quanto 2,2-3,0 MV/cm. Este recurso do produto permite a fabricação de dispositivos menores para lidar com tensões mais altas, portanto, nosso substrato de SiC tipo 4H N é frequentemente usado para fabricar MOSFETs, Schottky e JFETs.

A condutividade térmica do Wafer SiC tipo 4H N é de cerca de 4,9 W/cm·K, o que ajuda a dissipar efetivamente o calor, reduzir o acúmulo de calor, prolongar a vida útil do dispositivo e é adequado para aplicações de alta densidade de potência.

Além disso, o Wafer SiC tipo N da Vetek Semiconductor 4H ainda pode ter desempenho eletrônico estável em temperaturas de até 600°C, por isso é frequentemente usado para fabricar sensores de alta temperatura e é muito adequado para ambientes extremos.

Ao cultivar uma camada epitaxial de carboneto de silício em um substrato de carboneto de silício tipo n, o wafer homoepitaxial de carboneto de silício pode ser posteriormente transformado em dispositivos de energia como SBD, MOSFET, IGBT, etc., que são usados ​​em veículos elétricos, transporte ferroviário, alta -transmissão e transformação de energia, etc.

A Vetek Semiconductor continua buscando maior qualidade de cristal e qualidade de processamento para atender às necessidades dos clientes. Atualmente, produtos de 6 e 8 polegadas estão disponíveis. A seguir estão os parâmetros básicos do produto do substrato SIC de 6 e 8 polegadas:

Substrato SiC tipo N de 6 polegadas ESPECIFICAÇÕES BÁSICAS DO PRODUTO:

Substrato SiC tipo N de 8 polegadas ESPECIFICAÇÕES BÁSICAS DO PRODUTO:

Método e terminologia de detecção de substrato de SiC tipo 4H N: