Substrato de SiC tipo semi-isolante 4H

Vetek Semiconductor 4H Semi Isolante Tipo SiC desempenha vários papéis importantes no processo de processamento de semicondutores. Combinado com sua alta resistividade, alta condutividade térmica, amplo bandgap e outras propriedades, é amplamente utilizado em campos de alta frequência, alta potência e alta temperatura, especialmente em aplicações de microondas e RF. É um componente indispensável no processo de fabricação de semicondutores.

A resistividade do substrato de SiC semi-isolante tipo Vetek Semiconductor 4H é geralmente entre 10^6 Ω·cm e 10^9 Ω·cm. Esta alta resistividade pode suprimir correntes parasitas e reduzir a interferência de sinal, especialmente em aplicações de alta frequência e alta potência. Mais importante ainda, a alta resistividade do substrato SiC tipo 4H SI tem corrente de fuga extremamente baixa sob alta temperatura e alta pressão, o que pode garantir a estabilidade e confiabilidade do dispositivo.

A intensidade do campo elétrico de ruptura do substrato de SiC tipo 4H SI é tão alta quanto 2,2-3,0 MV/cm, o que determina que o substrato de SiC tipo 4H SI pode suportar tensões mais altas sem quebra, portanto o produto é muito adequado para trabalhar sob condições de alta tensão e alta potência. Mais importante ainda, o substrato SiC tipo 4H SI tem um amplo bandgap de cerca de 3,26 eV, de modo que o produto pode manter excelente desempenho de isolamento em alta temperatura e alta tensão e reduzir o ruído eletrônico.

Além disso, a condutividade térmica do substrato de SiC tipo 4H SI é de cerca de 4,9 W/cm·K, portanto este produto pode efetivamente reduzir o problema de acumulação de calor em aplicações de alta potência e prolongar a vida útil do dispositivo. Adequado para dispositivos eletrônicos em ambientes de alta temperatura.

Ao cultivar uma camada epitaxial de GaN em um substrato de carboneto de silício semi-isolante, o wafer epitaxial de GaN baseado em carboneto de silício pode ser transformado em dispositivos de radiofrequência de micro-ondas, como HEMT, que são usados ​​​​em comunicação de informações, detecção de rádio e outros campos.

A Vetek Semiconductor está constantemente buscando maior qualidade de cristal e qualidade de processamento para atender às necessidades do cliente. Atualmente, produtos de 4 e 6 polegadas estão disponíveis, e produtos de 8 polegadas estão em desenvolvimento. 

ESPECIFICAÇÕES BÁSICAS DO PRODUTO DE Substrato SiC Semi-Isolante:

ESPECIFICAÇÕES DE QUALIDADE DE CRISTAL DE Substrato SiC Semi-Isolante:

Método e terminologia de detecção de substrato tipo SiC semi-isolante 4H: