Susceptor ALD de revestimento SiC

Semicondutor VeTekSusceptor ALD de revestimento SiCdesempenha um papel vital na deposição da camada atômica (ALD) processo. Seu controle preciso de temperatura, distribuição uniforme de gases, alta resistência química e excelente condutividade térmica garantem a uniformidade e alta qualidade do processo de deposição do filme. Se quiser saber mais, pode consultar-nos imediatamente e responderemos atempadamente!

Controle preciso de temperatura:

O susceptor ALD de revestimento SiC geralmente possui um sistema de controle de temperatura de alta precisão. É capaz de manter um ambiente de temperatura uniforme durante todo o processo de deposição, o que é fundamental para garantir a uniformidade e qualidade do filme.

Distribuição uniforme de gás:

O design otimizado do susceptor ALD de revestimento de SiC garante a distribuição uniforme do gás durante o processo de deposição de ALD. Sua estrutura geralmente inclui múltiplas peças rotativas ou móveis para promover uma cobertura uniforme de gases reativos em toda a superfície do wafer.

Alta resistência química:

Como o processo ALD envolve uma variedade de gases químicos, o susceptor ALD do revestimento de SiC é geralmente feito de materiais resistentes à corrosão (como platina, cerâmica ou quartzo de alta pureza) para resistir à erosão de gases químicos e à influência de ambientes de alta temperatura.

Excelente condutividade térmica:

A fim de conduzir eficazmente o calor e manter uma temperatura de deposição estável, os susceptores ALD de revestimento de SiC geralmente usam materiais de alta condutividade térmica. Isso ajuda a evitar superaquecimento local e deposição irregular.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Oficinas de produção:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores：