Saia revestida CVD SiC

VeTek Semiconductor é um fabricante líder, inovador e líder de revestimento CVD SiC e revestimento TAC na China. Por muitos anos, temos nos concentrado em vários produtos de revestimento CVD SiC, como saia revestida CVD SiC, anel de revestimento CVD SiC, transportador de revestimento CVD SiC, etc. A VeTek Semiconductor oferece suporte a serviços de produtos personalizados e preços de produtos satisfatórios, e aguarda com expectativa o seu futuro consulta.

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Descrição do produto

Vetek Semiconductor é um fabricante profissional de saia revestida de CVD SiC na China.

A tecnologia de epitaxia ultravioleta profunda dos equipamentos Aixtron desempenha um papel crucial na fabricação de semicondutores. Esta tecnologia usa uma fonte de luz ultravioleta profunda para depositar vários materiais na superfície do wafer por meio do crescimento epitaxial para obter controle preciso do desempenho e função do wafer. A tecnologia de epitaxia ultravioleta profunda é usada em uma ampla gama de aplicações, abrangendo a produção de vários dispositivos eletrônicos, desde LEDs até lasers semicondutores.

Neste processo, a saia revestida com CVD SiC desempenha um papel fundamental. Ele foi projetado para apoiar a lâmina epitaxial e fazer com que a lâmina epitaxial gire para garantir uniformidade e estabilidade durante o crescimento epitaxial. Ao controlar com precisão a velocidade de rotação e a direção do susceptor de grafite, o processo de crescimento do transportador epitaxial pode ser controlado com precisão.

O produto é feito de revestimento de grafite e carboneto de silício de alta qualidade, garantindo excelente desempenho e longa vida útil. O material de grafite importado garante a estabilidade e confiabilidade do produto, para que ele tenha um bom desempenho em diversos ambientes de trabalho. Em termos de revestimento, é utilizado um material de carboneto de silício inferior a 5 ppm para garantir a uniformidade e estabilidade do revestimento. Ao mesmo tempo, o novo processo e o coeficiente de expansão térmica do material de grafite formam uma boa combinação, melhoram a resistência a altas temperaturas e a resistência ao choque térmico do produto, para que ainda possa manter um desempenho estável em ambientes de alta temperatura.

Propriedades físicas básicas da saia revestida de CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de Sublimação	2700°C
Resistência Flexural	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1