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Segmentos de cobertura de revestimento SiC
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Segmentos de cobertura de revestimento SiC

A Vetek Semiconductor dedica-se ao avanço e comercialização de revestimento CVD SiC e revestimento CVD TaC. A título de ilustração, nossos segmentos de cobertura de revestimento de SiC passam por um processamento meticuloso, resultando em um revestimento CVD SiC denso com precisão excepcional. Apresenta notável resistência a altas temperaturas e oferece proteção robusta contra corrosão. Congratulamo-nos com suas perguntas.

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Descrição do produto

Você pode ter a certeza de comprar segmentos de cobertura de revestimento de SiC de nossa fábrica.

A tecnologia de micro LEDs está revolucionando o ecossistema LED existente com métodos e abordagens que até agora só foram vistos nas indústrias de LCD ou de semicondutores. O sistema Aixtron G5 MOCVD suporta perfeitamente esses rigorosos requisitos de extensão. É um poderoso reator MOCVD projetado principalmente para crescimento de epitaxia GaN à base de silício.

Aixtron G5 é um sistema de epitaxia de disco planetário horizontal, consistindo principalmente de componentes como disco planetário de revestimento CVD SiC, susceptor MOCVD, segmentos de cobertura de revestimento SiC, anel de cobertura de revestimento SiC, teto de revestimento SiC, anel de suporte de revestimento SiC, disco de cobertura de revestimento SiC, Coletor de exaustão com revestimento SiC, arruela de pino, anel de entrada do coletor, etc.

Como fabricante de revestimento CVD SiC, a VeTek Semiconductor oferece segmentos de cobertura de revestimento SiC Aixtron G5. Esses susceptores são feitos de grafite de alta pureza e apresentam um revestimento CVD SiC com impureza abaixo de 5 ppm.

Os produtos de segmentos de cobertura de revestimento CVD SiC apresentam excelente resistência à corrosão, condutividade térmica superior e estabilidade em altas temperaturas. Esses produtos resistem efetivamente à corrosão e oxidação química, garantindo durabilidade e estabilidade em ambientes agressivos. A excelente condutividade térmica permite uma transferência de calor eficiente, melhorando a eficiência do gerenciamento térmico. Com sua estabilidade em altas temperaturas e resistência a choques térmicos, os revestimentos CVD SiC podem suportar condições extremas. Eles evitam a dissolução e oxidação do substrato de grafite, reduzindo a contaminação e melhorando a eficiência da produção e a qualidade do produto. A superfície de revestimento plana e uniforme fornece uma base sólida para o crescimento do filme, minimizando os defeitos causados ​​pela incompatibilidade da rede e melhorando a cristalinidade e a qualidade do filme. Em resumo, os produtos de grafite revestidos com CVD SiC oferecem soluções de materiais confiáveis ​​para diversas aplicações industriais, combinando excepcional resistência à corrosão, condutividade térmica e estabilidade em altas temperaturas.


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura de cristal FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade 3,21g/cm³
Dureza Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão 2~10μm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação 2700°C
Resistência à Flexão 415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica 300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


Cadeia Industrial:


Oficina de produção


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