Susceptor MOCVD revestido de SiC

O susceptor MOCVD revestido com SiC da VeTek Semiconductor é um dispositivo com excelente processo, durabilidade e confiabilidade. Eles podem suportar ambientes químicos e de alta temperatura, manter desempenho estável e longa vida útil, reduzindo assim a frequência de substituição e manutenção e melhorando a eficiência da produção. Nosso susceptor epitaxial MOCVD é conhecido por sua alta densidade, excelente planicidade e excelente controle térmico, tornando-o o equipamento preferido em ambientes de fabricação severos. Ansioso para cooperar com você.

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Descrição do produto

Encontre uma grande seleção de revestimentos de SiCAceitador MOCVDda China na VeTek Semiconductor. Fornecer serviço pós-venda profissional e o preço certo, ansioso pela cooperação.

VeTek SemicondutoresSusceptores Epitaxiais MOCVDsão projetados para suportar ambientes de alta temperatura e condições químicas adversas comuns no processo de produção de wafer. Através da engenharia de precisão, esses componentes são adaptados para atender aos rigorosos requisitos dos sistemas de reatores epitaxiais. Nossos susceptores epitaxiais MOCVD são feitos de substratos de grafite de alta qualidade revestidos com uma camada decarboneto de silício (SiC), que não só possui excelente resistência a altas temperaturas e corrosão, mas também garante distribuição uniforme de calor, o que é fundamental para manter a deposição consistente do filme epitaxial.

Além disso, nossos susceptores semicondutores possuem excelente desempenho térmico, o que permite um controle de temperatura rápido e uniforme para otimizar o processo de crescimento do semicondutor. Eles são capazes de resistir ao ataque de altas temperaturas, oxidação e corrosão, garantindo uma operação confiável mesmo nos ambientes operacionais mais desafiadores.

Além disso, os susceptores MOCVD revestidos com SiC são projetados com foco na uniformidade, o que é fundamental para obter substratos de cristal único de alta qualidade. A obtenção do nivelamento é essencial para alcançar um excelente crescimento de cristal único na superfície do wafer.

Na VeTek Semiconductor, nossa paixão por exceder os padrões da indústria é tão importante quanto nosso compromisso com a relação custo-benefício para nossos parceiros. Nós nos esforçamos para fornecer produtos como o Susceptor Epitaxial MOCVD para atender às necessidades em constante mudança da fabricação de semicondutores e antecipar suas tendências de desenvolvimento para garantir que sua operação esteja equipada com as ferramentas mais avançadas. Esperamos construir uma parceria de longo prazo com você e fornecer soluções de qualidade.

Parâmetro do produto do Susceptor MOCVD revestido de SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência Flexural	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m^-1·K^-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1