Susceptor Epitaxial MOCVD para Wafer de 4"

VeTek Semiconductor é um líder profissional China MOCVD Epitaxial Susceptor para fabricante de wafer de 4" com alta qualidade e preço razoável. Bem-vindo a entrar em contato conosco. O Susceptor Epitaxial MOCVD para wafer de 4" é um componente crítico na deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) processo, que é amplamente utilizado para o crescimento de filmes finos epitaxiais de alta qualidade, incluindo nitreto de gálio (GaN), nitreto de alumínio (AlN) e carboneto de silício (SiC). O susceptor serve como uma plataforma para segurar o substrato durante o processo de crescimento epitaxial e desempenha um papel crucial na garantia de distribuição uniforme de temperatura, transferência de calor eficiente e condições ideais de crescimento.

O susceptor epitaxial MOCVD para wafer de 4" é normalmente feito de grafite de alta pureza, carboneto de silício ou outros materiais com excelente condutividade térmica, inércia química e resistência a choque térmico.

Formulários:

Os susceptores epitaxiais MOCVD encontram aplicações em vários setores, incluindo:

Eletrônica de potência: crescimento de transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) baseados em GaN para aplicações de alta potência e alta frequência.

Optoeletrônica: crescimento de diodos emissores de luz (LEDs) e diodos laser baseados em GaN para tecnologias eficientes de iluminação e exibição.

Sensores: crescimento de sensores piezoelétricos baseados em AlN para detecção de pressão, temperatura e ondas acústicas.

Eletrônica de alta temperatura: crescimento de dispositivos de energia baseados em SiC para aplicações de alta temperatura e alta potência.

Parâmetro do produto do susceptor epitaxial MOCVD para wafer de 4"

Nota: Antes do revestimento, faremos a primeira purificação, após o revestimento, faremos a segunda purificação.

Oficina de produção de semicondutores VeTek