Anel guia de três pétalas revestido com CVD TaC

A VeTek Semiconductor passou por muitos anos de desenvolvimento tecnológico e dominou a tecnologia de processo líder de revestimento CVD TaC. O anel guia de três pétalas revestido com CVD TaC é um dos produtos de revestimento CVD TaC mais maduros da VeTek Semiconductor e é um componente importante para a preparação de cristais de SiC pelo método PVT. Com a ajuda da VeTek Semiconductor, acredito que sua produção de cristal SiC será mais suave e eficiente.

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Descrição do produto

O material de substrato de cristal único de carboneto de silício é um tipo de material cristalino, que pertence ao material semicondutor de banda larga. Tem as vantagens de resistência a alta tensão, resistência a altas temperaturas, alta frequência, baixa perda, etc. É um material básico para a preparação de dispositivos eletrônicos de alta potência e dispositivos de radiofrequência de micro-ondas. Atualmente, os principais métodos para o cultivo de cristais de SiC são o transporte físico de vapor (método PVT), a deposição química de vapor em alta temperatura (método HTCVD), o método de fase líquida, etc.

Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

O método PVT é um método relativamente maduro, mais adequado para produção industrial em massa. Ao colocar o cristal semente de SiC no topo do cadinho e colocar o pó de SiC como matéria-prima no fundo do cadinho, em um ambiente fechado de alta temperatura e baixa pressão, o pó de SiC sublima e é transferido para cima, para a vizinhança. do cristal semente sob a ação do gradiente de temperatura e da diferença de concentração, e recristaliza após atingir o estado supersaturado, o crescimento controlável do tamanho do cristal de SiC e do tipo de cristal específico pode ser alcançado.

A principal função do anel guia de três pétalas revestido com CVD TaC é melhorar a mecânica dos fluidos, guiar o fluxo de gás e ajudar a área de crescimento do cristal a obter uma atmosfera uniforme. Ele também dissipa efetivamente o calor e mantém o gradiente de temperatura durante o crescimento dos cristais de SiC, otimizando assim as condições de crescimento dos cristais de SiC e evitando defeitos de cristal causados pela distribuição desigual de temperatura.

Excelente desempenho do revestimento CVD TaC

● Pureza ultra-alta: Evita a geração de impurezas e contaminações.

● Estabilidade em altas temperaturas: A estabilidade em altas temperaturas acima de 2500°C permite operação em temperaturas ultra-altas.

● Tolerância ao ambiente químico: Tolerância a H(2), NH(3), SiH(4) e Si, proporcionando proteção em ambientes químicos agressivos.

● Longa vida sem derramamento: A forte ligação com o corpo de grafite pode garantir um longo ciclo de vida sem derramamento do revestimento interno.

● Resistência ao choque térmico: A resistência ao choque térmico acelera o ciclo de operação.

●Tolerância dimensional estrita: Garante que a cobertura do revestimento atenda às rigorosas tolerâncias dimensionais.

A VeTek Semiconductor possui uma equipe de suporte técnico e equipe de vendas profissional e madura que pode personalizar os produtos e soluções mais adequados para você. Da pré-venda ao pós-venda, a VeTek Semiconductor está sempre comprometida em fornecer a você os serviços mais completos e abrangentes.

Propriedades físicas do revestimento TaC

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade do revestimento TaC	14,3 (g/cm³)
Emissividade específica	0.3
Coeficiente de expansão térmica	6,3 10^-6/K
Dureza do revestimento TaC (HK)	2.000 Hong Kong
Resistência	1x10^-5Ohm*cm
Estabilidade térmica	<2500℃
Mudanças no tamanho do grafite	-10~-20um
Espessura do revestimento	≥20um valor típico (35um±10um)
Condutividade térmica	9-22(W/m·K)

Lojas de produtos de anel guia de três pétalas revestido com VeTek Semiconductor CVD TaC

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