Transportador de wafer epitaxia de carboneto de silício

VeTek Semiconductor é um fornecedor líder personalizado de transportador de wafer epitax de carboneto de silício na China. Somos especializados em materiais avançados há mais de 20 anos. Este transportador de wafer epitaxy de carboneto de silício é uma importante parte revestida de SiC da peça meia-lua, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação e resistência ao desgaste. Convidamos você a visitar nossa fábrica na China.

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Descrição do produto

Como fabricante profissional, gostaríamos de fornecer a você um transportador de wafer epitaxia de carboneto de silício de alta qualidade.

Os transportadores de wafer epitaxia de carboneto de silício semicondutor VeTek são projetados especificamente para a câmara epitaxial de SiC. Possuem uma ampla gama de aplicações e são compatíveis com diversos modelos de equipamentos.

Cenário de aplicação:

Os transportadores de wafer epitaxia de carboneto de silício semicondutor VeTek são usados principalmente no processo de crescimento de camadas epitaxiais de SiC. Esses acessórios são colocados dentro do reator epitaxia de SiC, onde entram em contato direto com substratos de SiC. Os parâmetros críticos para camadas epitaxiais são espessura e uniformidade de concentração de dopagem. Portanto, avaliamos o desempenho e a compatibilidade de nossos acessórios observando dados como espessura do filme, concentração de transportadores, uniformidade e rugosidade superficial.

Uso:

Dependendo do equipamento e do processo, nossos produtos podem atingir pelo menos 5.000 um de espessura de camada epitaxial em uma configuração de meia lua de 6 polegadas. Este valor serve como referência e os resultados reais podem variar.

Modelos de equipamentos compatíveis:

As peças de grafite revestidas com carboneto de silício VeTek Semiconductor são compatíveis com vários modelos de equipamentos, incluindo LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH e outros.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura de cristal	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Oficina de produção de semicondutores VeTek

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

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