Anel Defletor Revestido TaC

O anel defletor revestido com TaC da VeTek Semiconductor é um componente altamente especializado projetado para processos de crescimento de cristal de SiC. O revestimento TaC oferece excelente resistência a altas temperaturas e inércia química para lidar com altas temperaturas e ambientes corrosivos durante o processo de crescimento de cristais. Isso garante desempenho estável e longa vida útil do componente, reduzindo a frequência de substituição e o tempo de inatividade. Estamos comprometidos em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos e esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor profissional de anel defletor revestido de TaC na China. Nosso anel defletor revestido de TaC são componentes altamente especializados projetados para uso em processos de crescimento de cristal de SiC. Esses componentes são essenciais em ambientes que exigem resistência a altas temperaturas, durabilidade excepcional e inércia química incomparável.

Os anéis defletores revestidos com TaC são fabricados em carboneto de tântalo de alta pureza, que oferece excelente condutividade térmica e extrema resistência a altas temperaturas e choque térmico. O revestimento TaC do componente fornece uma camada adicional de proteção contra produtos químicos agressivos e ambientes agressivos comuns no crescimento de cristais. A presença do revestimento aumenta a durabilidade e a vida útil do componente, mantendo um desempenho consistente ao longo de vários ciclos.

O anel defletor revestido com TaC pode suportar temperaturas de até 2.200 ° C, tornando-o ideal para processos de alta temperatura. O anel defletor revestido com TaC é usado principalmente na indústria de semicondutores, especificamente para o crescimento de cristais de carboneto de silício. Adequado para reatores de crescimento de cristais em escala industrial e de pesquisa.

Parâmetro do produto do anel defletor revestido com TaC

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade	14,3 (g/cm³)
Emissividade específica	0.3
Coeficiente de expansão térmica	6,3 10-6/K
Dureza (HK)	2.000 Hong Kong
Resistência	1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica	<2500℃
Mudanças no tamanho do grafite	-10~-20um
Espessura do revestimento	≥20um valor típico (35um±10um)