Receptor de epitaxia GaN

VeTek Semiconductor é uma empresa chinesa fabricante e fornecedora de susceptor GaN Epitaxy de classe mundial. Há muito tempo que trabalhamos na indústria de semicondutores, como revestimentos de carboneto de silício e susceptor GaN Epitaxy. Podemos fornecer excelentes produtos e preços favoráveis. A VeTek Semiconductor espera se tornar seu parceiro de longo prazo.

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Descrição do produto

A epitaxia GaN é uma tecnologia avançada de fabricação de semicondutores usada para produzir dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos de alto desempenho. De acordo com diferentes materiais de substrato,Bolachas epitaxiais de GaNpode ser dividido em GaN baseado em GaN, GaN baseado em SiC, GaN baseado em safira eGaN-em-Si.

MOCVD process to generate GaN epitaxy

Esquema simplificado do processo MOCVD para gerar epitaxia GaN

Na produção de epitaxia de GaN, o substrato não pode ser simplesmente colocado em algum lugar para deposição epitaxial, pois envolve vários fatores como direção do fluxo de gás, temperatura, pressão, fixação e queda de contaminantes. Portanto, é necessária uma base e, em seguida, o substrato é colocado no disco e, em seguida, é realizada a deposição epitaxial no substrato usando a tecnologia CVD. Esta base é o susceptor GaN Epitaxy.

GaN Epitaxy Susceptor

A incompatibilidade de rede entre SiC e GaN é pequena porque a condutividade térmica do SiC é muito maior que a do GaN, Si e safira. Portanto, independentemente do substrato GaN epitaxial wafer, o susceptor GaN Epitaxy com revestimento SiC pode melhorar significativamente as características térmicas do dispositivo e reduzir a temperatura de junção do dispositivo.

Lattice mismatch and thermal mismatch relationships

Incompatibilidade de rede e relações de incompatibilidade térmica de materiais

O susceptor GaN Epitaxy fabricado pela VeTek Semiconductor possui as seguintes características:

Material: O susceptor é feito de grafite de alta pureza e um revestimento de SiC, o que permite que o susceptor GaN Epitaxy suporte altas temperaturas e forneça excelente estabilidade durante a fabricação epitaxial. O susceptor GaN Epitaxy da VeTek Semiconductor pode atingir uma pureza de 99,9999% e um teor de impurezas inferior a 5 ppm.

Condutividade térmica: O bom desempenho térmico permite o controle preciso da temperatura, e a boa condutividade térmica do susceptor GaN Epitaxy garante a deposição uniforme da epitaxia GaN.

Estabilidade química: O revestimento SiC evita contaminação e corrosão, de modo que o susceptor GaN Epitaxy pode suportar o ambiente químico agressivo do sistema MOCVD e garantir a produção normal de epitaxia GaN.

Projeto: O projeto estrutural é realizado de acordo com a necessidade do cliente, como susceptores em formato de barril ou panqueca. Diferentes estruturas são otimizadas para diferentes tecnologias de crescimento epitaxial para garantir melhor rendimento do wafer e uniformidade da camada.

Seja qual for a sua necessidade de susceptor GaN Epitaxy, a VeTek Semiconductor pode fornecer os melhores produtos e soluções. Aguardamos sua consulta a qualquer momento.

Propriedades físicas básicas deRevestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC β phase policristalina, principalmente (111) orientada
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Grão Size	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência Flexural	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m^-1·K^-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1