Conjunto de receptores LPE SI EPI

VeTek Semiconductor é um fabricante líder de conjunto de susceptor LPE Si Epi e inovador na China. Somos especializados em revestimento SiC e revestimento TaC por muitos anos. Oferecemos um conjunto LPE Si Epi Susceptor projetado especificamente para wafers LPE PE2061S 4''. O grau de correspondência do material de grafite e do revestimento de SiC é bom, a uniformidade é excelente e a vida útil é longa, o que pode melhorar o rendimento do crescimento da camada epitaxial durante o processo LPE (Epitaxia de Fase Líquida). China.

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Descrição do produto

VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor profissional de conjunto susceptor LPE Si EPI na China.

Com boa qualidade e preço competitivo, bem-vindo ao visitar nossa fábrica e estabelecer uma cooperação de longo prazo conosco.

O conjunto de susceptores VeTeK Semiconductor LPE Si Epi é um produto de alto desempenho criado pela aplicação de uma fina camada de carboneto de silício na superfície de grafite isotrópica altamente purificada. Isto é conseguido através do processo de Deposição Química de Vapor (CVD) proprietário da VeTeK Semiconductor.

O conjunto LPE Si Epi Susceptor da VeTek Semiconductor é um reator de barril de deposição epitaxial CVD projetado para funcionar de maneira confiável mesmo em condições desafiadoras. Sua excelente adesão de revestimento, resistência à oxidação em alta temperatura e à corrosão o tornam a escolha ideal para ambientes agressivos. Além disso, seu perfil térmico uniforme e padrão de fluxo de gás laminar evitam a contaminação, garantindo o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.

O design em forma de barril do nosso reator epitaxial semicondutor otimiza o fluxo de gás, garantindo que o calor seja distribuído uniformemente. Esse recurso evita efetivamente a contaminação e a difusão de impurezas, garantindo a produção de camadas epitaxiais de alta qualidade em substratos de wafer.

Na VeTek Semiconductor, temos o compromisso de fornecer aos clientes produtos de alta qualidade e econômicos. Nosso conjunto LPE Si Epi Susceptor oferece preços competitivos, mantendo excelente densidade tanto para o substrato de grafite quanto para o revestimento de carboneto de silício. Esta combinação garante proteção confiável em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura de cristal	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1