Susceptor de barril de grafite revestido de SiC para EPI

VeTek Semiconductor é um fabricante, fornecedor e exportador profissional de susceptor de barril de grafite revestido de SiC para EPI. Apoiada por uma equipe profissional e tecnologia de ponta, a VeTek Semiconductor pode fornecer alta qualidade a preços razoáveis. convidamos você a visitar nossa fábrica para uma discussão mais aprofundada.

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Descrição do produto

VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor na China que produz principalmente susceptor de barril de grafite revestido de SiC para EPI com muitos anos de experiência. Espero construir relacionamento comercial com você. EPI (Epitaxy) é um processo crítico na fabricação de semicondutores avançados. Envolve a deposição de finas camadas de material em um substrato para criar estruturas de dispositivos complexos. O susceptor de barril de grafite revestido com SiC para EPI é comumente usado como susceptor em reatores EPI devido à sua excelente condutividade térmica e resistência a altas temperaturas. Com o revestimento CVD-SiC, torna-se mais resistente à contaminação, erosão e choque térmico. Isso resulta em uma vida útil mais longa para o susceptor e em melhor qualidade do filme.

Vantagens do nosso Susceptor de Barril de Grafite Revestido com SiC:

Contaminação Reduzida: A natureza inerte do SiC evita que impurezas adiram à superfície do susceptor, reduzindo o risco de contaminação dos filmes depositados.

Maior resistência à erosão: O SiC é significativamente mais resistente à erosão do que o grafite convencional, levando a uma vida útil mais longa para o susceptor.

Estabilidade térmica aprimorada: o SiC possui excelente condutividade térmica e pode suportar altas temperaturas sem distorção significativa.

Qualidade aprimorada do filme: A estabilidade térmica aprimorada e a contaminação reduzida resultam em filmes depositados de maior qualidade, com melhor uniformidade e controle de espessura.

Formulários:

Os susceptores de barril de grafite revestidos com SiC são amplamente utilizados em diversas aplicações de EPI, incluindo:

LEDs baseados em GaN

Eletrônica de potência

Dispositivos optoeletrônicos

Transistores de alta frequência

Sensores

Parâmetro do produto do Susceptor de Barril de Grafite Revestido com SiC

Propriedades físicas da grafite isostática
Propriedade	Unidade	Valor típico
Densidade aparente	g/cm³	1.83
Dureza	HD	58
Resistividade elétrica	mΩ.m	10
Resistência à Flexão	MPa	47
Força compressiva	MPa	103
Resistência à tracção	MPa	31
Módulo de Young	GPa	11.8
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.6
Condutividade térmica	W·m-1·K-1	130
Tamanho Médio de Grão	μm	8-10
Porosidade	%	10
Conteúdo de cinzas	ppm	≤10 (depois de purificado)

Nota: Antes do revestimento, faremos a primeira purificação, após o revestimento, faremos a segunda purificação.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura de cristal	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Oficina de produção de semicondutores VeTek

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