Suporte revestido de SiC para LPE PE2061S

VeTek Semiconductor é um fabricante e inovador líder de suporte revestido de SiC para LPE PE2061S na China. Somos especializados em material de revestimento de SiC há muitos anos. Oferecemos um suporte revestido de SiC para LPE PE2061S projetado especificamente para reator de epitaxia de silício LPE. Este suporte revestido de SiC para LPE PE2061S é a parte inferior do susceptor de barril. Ele pode suportar altas temperaturas de 1600 graus Celsius, prolongar a vida útil do produto da peça sobressalente de grafite.

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Descrição do produto

O suporte revestido de SiC de alta qualidade para LPE PE2061S é oferecido pelo fabricante chinês VeTek Semiconductor. Compre suporte revestido de SiC para LPE PE2061S que é de alta qualidade diretamente com preço baixo.

O suporte revestido de SiC semicondutor VeTeK para LPE PE2061S em equipamento de epitaxia de silício, usado em conjunto com um susceptor tipo barril para apoiar e segurar os wafers epitaxiais (ou substratos) durante o processo de crescimento epitaxial.

A placa inferior é usada principalmente com o forno epitaxial de barril, o forno epitaxial de barril tem uma câmara de reação maior e uma eficiência de produção mais alta do que o susceptor epitaxial plano.

O suporte tem um design de furo redondo e é usado principalmente para saída de exaustão dentro do reator.

O suporte revestido de SiC semicondutor VeTeK para LPE PE2061S é para sistema de reator de epitaxia de fase líquida (LPE), com alta pureza, revestimento uniforme, estabilidade em alta temperatura, resistência à corrosão, alta dureza, excelente condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão térmica e inércia química .

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura de cristal	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1