LPE SiC EPI Meia Lua
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LPE SiC EPI Meia Lua

LPE SiC Epi Halfmoon da VeTek Semiconductor, um produto revolucionário projetado para elevar os processos de epitaxia SiC do reator LPE. Esta solução de ponta possui vários recursos importantes que garantem desempenho e eficiência superiores em todas as suas operações de fabricação. Esperamos estabelecer uma cooperação de longo prazo com você.

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Descrição do produto

Como fabricante profissional, a VeTek Semiconductor gostaria de fornecer LPE SiC Epi Halfmoon de alta qualidade.

LPE SiC Epi Halfmoon da VeTek Semiconductor, um produto revolucionário projetado para elevar os processos de epitaxia SiC do reator LPE. Esta solução de ponta possui vários recursos importantes que garantem desempenho e eficiência superiores em todas as suas operações de fabricação.

O LPE SiC Epi Halfmoon oferece precisão e exatidão excepcionais, garantindo crescimento uniforme e camadas epitaxiais de alta qualidade. Seu design inovador e técnicas avançadas de fabricação fornecem suporte ideal ao wafer e gerenciamento térmico, proporcionando resultados consistentes e minimizando defeitos.

Além disso, o LPE SiC Epi Halfmoon é revestido com uma camada premium de carboneto de tântalo (TaC), melhorando seu desempenho e durabilidade. Este revestimento TaC melhora significativamente a condutividade térmica, a resistência química e a resistência ao desgaste, protegendo o produto e prolongando sua vida útil.

A integração do revestimento TaC no LPE SiC Epi Halfmoon traz melhorias significativas ao fluxo do seu processo. Melhora o gerenciamento térmico, garantindo uma dissipação eficiente do calor e mantendo uma temperatura de crescimento estável. Essa melhoria leva a uma maior estabilidade do processo, redução do estresse térmico e melhor rendimento geral.

Além disso, o revestimento TaC minimiza a contaminação do material, permitindo um ambiente mais limpo e mais

processo de epitaxia controlado. Atua como uma barreira contra reações indesejadas e impurezas, resultando em camadas epitaxiais de maior pureza e melhor desempenho do dispositivo.

Escolha LPE SiC Epi Halfmoon da VeTek Semiconductor para processos de epitaxia incomparáveis. Experimente os benefícios de seu design avançado, precisão e poder transformador do revestimento TaC na otimização de suas operações de fabricação. Eleve seu desempenho e obtenha resultados excepcionais com a solução líder do setor da VeTek Semiconductor.


Parâmetro do produto do LPE SiC Epi Halfmoon:

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade 14,3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3 10-6/K
Dureza (HK) 2.000 Hong Kong
Resistência 1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500℃
Mudanças no tamanho do grafite -10~-20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um±10um)


Oficina de produção de semicondutores VeTek


Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:


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