Susceptor de revestimento MOCVD SiC

O susceptor de revestimento VeTek Semiconductor MOCVD SiC é feito de alta qualidadegrafite, que é selecionado por sua estabilidade térmica e excelente condutividade térmica (cerca de 120-150 W/m·K). As propriedades inerentes do grafite tornam-no um material ideal para suportar as condições adversas no interiorReatores MOCVD. Para melhorar o seu desempenho e prolongar a sua vida útil, o susceptor de grafite é cuidadosamente revestido com uma camada de carboneto de silício (SiC).

O susceptor de revestimento MOCVD SiC é um componente chave usado emdeposição química de vapor (CVD)eprocessos de deposição química de vapor orgânico metálico (MOCVD). Sua principal função é suportar e aquecer wafers de silício ou carboneto de silício (SiC) e garantir a deposição uniforme de gases em um ambiente de alta temperatura. É um produto indispensável no processamento de semicondutores.

Aplicações do susceptor de revestimento MOCVD SiC no processamento de semicondutores:

Suporte e aquecimento de bolacha:

O susceptor de revestimento MOCVD SiC não só tem uma função de suporte poderosa, mas também pode aquecer efetivamente obolachauniformemente para garantir a estabilidade do processo de deposição de vapor químico. Durante o processo de deposição, a alta condutividade térmica do revestimento de SiC pode transferir rapidamente energia térmica para todas as áreas do wafer, evitando superaquecimento local ou temperatura insuficiente, garantindo assim que o gás químico possa ser depositado uniformemente na superfície do wafer. Este efeito uniforme de aquecimento e deposição melhora muito a consistência do processamento do wafer, tornando a espessura do filme superficial de cada wafer uniforme e reduzindo a taxa de defeitos, melhorando ainda mais o rendimento da produção e a confiabilidade do desempenho dos dispositivos semicondutores.

Crescimento da epitaxia:

NoProcesso MOCVD, Os transportadores revestidos com SiC são componentes-chave no processo de crescimento da epitaxia. Eles são usados ​​especificamente para suportar e aquecer wafers de silício e carboneto de silício, garantindo que os materiais na fase de vapor químico possam ser depositados de maneira uniforme e precisa na superfície do wafer, formando assim estruturas de filme fino de alta qualidade e sem defeitos. Os revestimentos de SiC não são apenas resistentes a altas temperaturas, mas também mantêm a estabilidade química em ambientes de processos complexos para evitar contaminação e corrosão. Portanto, os portadores revestidos de SiC desempenham um papel vital no processo de crescimento da epitaxia de dispositivos semicondutores de alta precisão, como dispositivos de energia de SiC (como MOSFETs e diodos de SiC), LEDs (especialmente LEDs azuis e ultravioletas) e células solares fotovoltaicas.

Nitreto de gálio (GaN)e epitaxia de arsenieto de gálio (GaAs):

Os transportadores revestidos de SiC são uma escolha indispensável para o crescimento de camadas epitaxiais de GaN e GaAs devido à sua excelente condutividade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica. Sua eficiente condutividade térmica pode distribuir uniformemente o calor durante o crescimento epitaxial, garantindo que cada camada de material depositado possa crescer uniformemente a uma temperatura controlada. Ao mesmo tempo, a baixa expansão térmica do SiC permite que ele permaneça dimensionalmente estável sob mudanças extremas de temperatura, reduzindo efetivamente o risco de deformação do wafer, garantindo assim a alta qualidade e consistência da camada epitaxial. Esse recurso torna as transportadoras revestidas de SiC uma escolha ideal para a fabricação de dispositivos eletrônicos de alta frequência e alta potência (como dispositivos GaN HEMT) e comunicações ópticas e dispositivos optoeletrônicos (como lasers e detectores baseados em GaAs).

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