Susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD

VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor líder de susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD na China, especializado em aplicações de revestimento de SiC e produtos semicondutores epitaxiais para a indústria de semicondutores. Nossos susceptores de grafite revestidos com SiC MOCVD oferecem qualidade e preços competitivos, atendendo mercados em toda a Europa e América. Temos o compromisso de nos tornar seu parceiro confiável e de longo prazo no avanço da fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

O susceptor de grafite revestido com SiC da VeTek Semiconductor para MOCVD é um transportador de grafite revestido com SiC de alta pureza, projetado especificamente para o crescimento da camada epitaxial em chips wafer. Como componente central no processamento MOCVD, normalmente em forma de engrenagem ou anel, possui excepcional resistência ao calor e à corrosão, garantindo estabilidade em ambientes extremos.

Principais recursos do susceptor de grafite revestido com SiC MOCVD:

● Revestimento resistente a flocos: Garante uma cobertura uniforme do revestimento SiC em todas as superfícies, reduzindo o risco de desprendimento de partículas

● Excelente resistência à oxidação em altas temperaturasce: Permanece estável em temperaturas de até 1600°C

● Alta Pureza: Fabricado através de deposição química de vapor CVD, adequado para condições de cloração em alta temperatura

● Resistência superior à corrosão: Altamente resistente a ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos

● Padrão de fluxo de ar laminar otimizado: Melhora a uniformidade da dinâmica do fluxo de ar

● Distribuição térmica uniforme: Garante uma distribuição estável de calor durante processos de alta temperatura

● Prevenção de contaminação: Evita a difusão de contaminantes ou impurezas, garantindo a limpeza do wafer

Na VeTek Semiconductor, aderimos a rígidos padrões de qualidade, entregando produtos e serviços confiáveis aos nossos clientes. Selecionamos apenas materiais premium, nos esforçando para atender e superar os requisitos de desempenho da indústria. Nosso susceptor de grafite revestido com SiC para MOCVD exemplifica esse compromisso com a qualidade. Entre em contato conosco para saber mais sobre como podemos atender às suas necessidades de processamento de wafers semicondutores.

ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC:

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência Flexural	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m^-1·K^-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1

Semicondutor VeTek MOCVD Receptor de grafite revestido de SiC:

VeTekSemi MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor

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