Com nossa experiência na fabricação de revestimento CVD SiC, a VeTek Semiconductor orgulhosamente apresenta o Aixtron SiC Coating Collector Bottom. Este fundo coletor de revestimento de SiC é construído com grafite de alta pureza e revestido com SiC CVD, garantindo impureza abaixo de 5 ppm. Sinta-se à vontade para entrar em contato conosco para obter mais informações e dúvidas.
VeTek Semiconductor é um fabricante comprometido em fornecer revestimento CVD TaC de alta qualidade e fundo de coletor de revestimento CVD SiC e trabalhar em estreita colaboração com equipamentos Aixtron para atender às necessidades de nossos clientes. Seja na otimização de processos ou no desenvolvimento de novos produtos, estamos prontos para lhe fornecer suporte técnico e esclarecer quaisquer dúvidas que você possa ter.
Produtos Aixtron SiC Coating Collector Top, Collector Center e SiC Coating Collector Bottom. Esses produtos são um dos principais componentes usados em processos avançados de fabricação de semicondutores.
A combinação da parte superior do coletor revestida com SiC da Aixtron, do centro do coletor e da parte inferior do coletor no equipamento Aixtron desempenha as seguintes funções importantes:
Gerenciamento térmico: Esses componentes possuem excelente condutividade térmica e são capazes de conduzir o calor de maneira eficaz. O gerenciamento térmico é crucial na fabricação de semicondutores. Os revestimentos de SiC na parte superior do coletor, no centro do coletor e na parte inferior do coletor revestido com carboneto de silício ajudam a remover o calor com eficiência, manter as temperaturas de processo adequadas e melhorar o gerenciamento térmico do equipamento.
Inércia química e resistência à corrosão: A parte superior do coletor revestida com SiC da Aixtron, o centro do coletor e a parte inferior do coletor com revestimento de SiC possuem excelente inércia química e são resistentes à corrosão e oxidação química. Isto permite que operem de forma estável em ambientes químicos agressivos por longos períodos de tempo, fornecendo uma camada protetora confiável e prolongando a vida útil dos componentes.
Suporte para processo de evaporação por feixe de elétrons (EB): Esses componentes são usados em equipamentos Aixtron para apoiar o processo de evaporação por feixe de elétrons. O design e a seleção de materiais da parte superior do coletor, do centro do coletor e da parte inferior do coletor de revestimento de SiC ajudam a obter uma deposição uniforme do filme e fornecem um substrato estável para garantir a qualidade e consistência do filme.
Otimização do ambiente de cultivo de filmes: Collector Top, Collector Center e SiC Coating Collector Bottom otimizam o ambiente de cultivo de filmes nos equipamentos Aixtron. A inércia química e a condutividade térmica do revestimento ajudam a reduzir impurezas e defeitos e a melhorar a qualidade do cristal e a consistência do filme.
Ao usar o coletor superior revestido com SiC da Aixtron, o centro do coletor e o fundo do coletor com revestimento de SiC, o gerenciamento térmico e a proteção química nos processos de fabricação de semicondutores podem ser alcançados, o ambiente de crescimento do filme pode ser otimizado e a qualidade e consistência do filme podem ser melhoradas. A combinação desses componentes nos equipamentos Aixtron garante condições de processo estáveis e produção eficiente de semicondutores.
Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC | |
Propriedade | Valor típico |
Estrutura de cristal | FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
Densidade | 3,21g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho de grão | 2~10μm |
Pureza Química | 99,99995% |
Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimação | 2700°C |
Resistência Flexural | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Condutividade térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |