Centro Coletor de Revestimento SiC

O Centro Coletor de Revestimento VeTek Semiconductor SiC desempenha um papel importante na produção do processo Semiconducor EPI. É um dos principais componentes usados ​​para distribuição e controle de gás em uma câmara de reação epitaxial. Bem-vindo ao nos perguntar sobre o revestimento SiC e o revestimento TaC em nossa fábrica.

A função do Centro Coletor de Revestimento SiC é a seguinte:

Distribuição de gás: O Centro Coletor de Revestimento SiC é usado para introduzir diferentes gases na câmara de reação epitaxial. Possui múltiplas entradas e saídas que podem distribuir diferentes gases para os locais desejados para atender às necessidades específicas de crescimento epitaxial.

Controle de gás: o SiC Coating Collector Center consegue controle preciso de cada gás através de válvulas e dispositivos de controle de fluxo. Este controle preciso do gás é essencial para o sucesso do processo de crescimento epitaxial para atingir a concentração de gás e vazão desejadas, garantindo a qualidade e consistência do filme.

Uniformidade: O design e o layout do anel central de coleta de gás ajudam a obter uma distribuição uniforme de gás. Através de um caminho de fluxo de gás e modo de distribuição razoáveis, o gás é misturado uniformemente na câmara de reação epitaxial, de modo a obter um crescimento uniforme do filme.

Na fabricação de produtos epitaxiais, o Centro Coletor de Revestimento SiC desempenha um papel fundamental na qualidade, espessura e uniformidade do filme. Através da distribuição e controle adequados de gases, o Centro Coletor de Revestimento de SiC pode garantir a estabilidade e consistência do processo de crescimento epitaxial, de modo a obter filmes epitaxiais de alta qualidade.

Comparado ao centro coletor de grafite, o centro coletor revestido de SiC apresenta condutividade térmica aprimorada, inércia química aprimorada e resistência superior à corrosão. O revestimento de carboneto de silício aumenta significativamente a capacidade de gerenciamento térmico do material de grafite, levando a uma melhor uniformidade de temperatura e ao crescimento consistente do filme em processos epitaxiais. Além disso, o revestimento fornece uma camada protetora que resiste à corrosão química, prolongando a vida útil dos componentes de grafite. No geral, o material de grafite revestido com carboneto de silício oferece condutividade térmica superior, inércia química e resistência à corrosão, garantindo maior estabilidade e crescimento de filme de alta qualidade em processos epitaxiais.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Cadeia Industrial:

Oficina de produção