Aquecedor MOCVD de grafite com revestimento SiC

MOCVD é uma tecnologia de crescimento de filme fino de precisão amplamente utilizada na fabricação de dispositivos semicondutores, optoeletrônicos e microeletrônicos. Através da tecnologia MOCVD, filmes de materiais semicondutores de alta qualidade podem ser depositados em substratos (como silício, safira, carboneto de silício, etc.).

No equipamento MOCVD, o aquecedor MOCVD de grafite com revestimento de SiC fornece um ambiente de aquecimento uniforme e estável na câmara de reação de alta temperatura, permitindo que a reação química em fase gasosa prossiga, depositando assim o filme fino desejado na superfície do substrato.

O aquecedor MOCVD de grafite com revestimento de SiC da VeTek Semiconductor é feito de material de grafite de alta qualidade com revestimento de SiC. O aquecedor MOCVD de grafite revestido com SiC gera calor através do princípio de aquecimento por resistência.

O núcleo do aquecedor MOCVD de grafite com revestimento SiC é o substrato de grafite. A corrente é aplicada através de uma fonte de alimentação externa e as características de resistência do grafite são usadas para gerar calor para atingir a alta temperatura necessária. A condutividade térmica do substrato de grafite é excelente, o que pode conduzir rapidamente o calor e transferir uniformemente a temperatura para toda a superfície do aquecedor. Ao mesmo tempo, o revestimento SiC não afeta a condutividade térmica do grafite, permitindo que o aquecedor responda rapidamente às mudanças de temperatura e garanta uma distribuição uniforme da temperatura.

A grafite pura é propensa à oxidação sob condições de alta temperatura. O revestimento de SiC isola efetivamente o grafite do contato direto com o oxigênio, evitando assim reações de oxidação e prolongando a vida útil do aquecedor. Além disso, o equipamento MOCVD utiliza gases corrosivos (como amônia, hidrogênio, etc.) para deposição química de vapor. A estabilidade química do revestimento de SiC permite resistir eficazmente à erosão destes gases corrosivos e proteger o substrato de grafite.

Sob altas temperaturas, os materiais de grafite não revestidos podem liberar partículas de carbono, o que afetará a qualidade de deposição do filme. A aplicação do revestimento SiC inibe a liberação de partículas de carbono, permitindo que o processo MOCVD seja realizado em ambiente limpo, atendendo às necessidades de fabricação de semicondutores com elevados requisitos de limpeza.

Finalmente, o aquecedor MOCVD de grafite com revestimento de SiC é geralmente projetado em formato circular ou outro formato regular para garantir temperatura uniforme na superfície do substrato. A uniformidade da temperatura é crítica para o crescimento uniforme de filmes espessos, especialmente no processo de crescimento epitaxial MOCVD de compostos III-V, como GaN e InP.

A VeTeK Semiconductor fornece serviços de personalização profissional. As capacidades de usinagem e revestimento de SiC líderes do setor nos permitem fabricar aquecedores de alto nível para equipamentos MOCVD, adequados para a maioria dos equipamentos MOCVD.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

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