A VeTek Semiconductor, fabricante líder de revestimentos CVD SiC, oferece disco de conjunto de revestimento SiC em reatores Aixtron MOCVD. Estes discos de conjunto de revestimento de SiC são fabricados com grafite de alta pureza e apresentam um revestimento CVD SiC com impureza abaixo de 5 ppm. Agradecemos perguntas sobre este produto.
VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor de revestimento de SiC na China que produz principalmente disco de conjunto de revestimento de SiC, coletor e susceptor com muitos anos de experiência. Espero construir relacionamento comercial com você.
O disco de conjunto de revestimento Aixtron SiC é um produto de alto desempenho projetado para uma ampla gama de aplicações. O kit é feito de material de grafite de alta qualidade com revestimento protetor de carboneto de silício (SiC).
O revestimento de carboneto de silício (SiC) na superfície do disco apresenta diversas vantagens importantes. Em primeiro lugar, melhora muito a condutividade térmica do material de grafite, conseguindo uma condução de calor eficiente e um controle preciso da temperatura. Isto garante aquecimento ou resfriamento uniforme de todo o conjunto de discos durante o uso, resultando em desempenho consistente.
Em segundo lugar, o revestimento de carboneto de silício (SiC) possui excelente inércia química, tornando o conjunto de discos altamente resistente à corrosão. Essa resistência à corrosão garante a longevidade e a confiabilidade do disco, mesmo em ambientes agressivos e corrosivos, tornando-o adequado para diversos cenários de aplicação.
Além disso, o revestimento de carboneto de silício (SiC) melhora a durabilidade geral e a resistência ao desgaste do conjunto de discos. Esta camada protetora ajuda o disco a resistir ao uso repetido, reduzindo o risco de danos ou degradação que podem ocorrer ao longo do tempo. A durabilidade aprimorada garante o desempenho e a confiabilidade a longo prazo do conjunto de discos.
Os discos de conjunto de revestimento Aixtron SiC são amplamente utilizados na fabricação de semicondutores, processamento químico e laboratórios de pesquisa. Sua excelente condutividade térmica, resistência química e durabilidade o tornam ideal para aplicações críticas que exigem controle preciso de temperatura e ambientes resistentes à corrosão.
Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC | |
Propriedade | Valor típico |
Estrutura de cristal | FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
Densidade | 3,21g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho de grão | 2~10μm |
Pureza Química | 99,99995% |
Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimação | 2700°C |
Resistência à Flexão | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Condutividade térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |