Cabeça de chuveiro SiC
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Cabeça de chuveiro SiC

VeTek Semiconductor é um fabricante líder e inovador de chuveiro de SiC na China. Somos especializados em material de SiC há muitos anos. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

Você pode ter a certeza de comprar o chuveiro SiC de nossa fábrica.

Os materiais de carboneto de silício possuem uma combinação única de excelentes propriedades térmicas, elétricas e químicas, tornando-os ideais para aplicações na indústria de semicondutores onde são necessários materiais de alto desempenho.

A tecnologia revolucionária da VeTek Semiconductor permite a produção de SiC Shower Head, um material de carboneto de silício de altíssima pureza criado através do processo de Deposição Química de Vapor.

O chuveiro SiC é um componente crucial na fabricação de semicondutores, projetado especificamente para sistemas MOCVD, epitaxia de silício e processos de epitaxia de SiC. Feito de carboneto de silício sólido (SiC) robusto, este componente pode suportar condições extremas de processamento de plasma e aplicações de alta temperatura.

O carboneto de silício (SiC) é conhecido por sua alta condutividade térmica, resistência à corrosão química e resistência mecânica excepcional, tornando-o um material ideal para componentes de SiC a granel, como o chuveiro de SiC. O chuveiro a gás garante uma distribuição uniforme dos gases do processo sobre a superfície do wafer, o que é essencial para a produção de camadas epitaxiais de alta qualidade. Os anéis de foco e de borda, geralmente feitos de CVD-SiC, mantêm a distribuição uniforme do plasma e protegem a câmara contra contaminação, aumentando a eficiência e o rendimento do crescimento epitaxial.



Com seu controle preciso do fluxo de gás e excelentes propriedades de material, o chuveiro de SiC é um componente chave no processamento moderno de semicondutores, suportando aplicações avançadas em epitaxia de silício e epitaxia de SiC.

A VeTek Semiconductor oferece um chuveiro semicondutor de carboneto de silício sinterizado de baixa resistividade. Temos a capacidade de projetar e fornecer materiais cerâmicos avançados utilizando uma variedade de recursos exclusivos.


Parâmetro do produto do chuveiro SiC:

Propriedades físicas do SiC Sólido
Densidade 3.21 g/cm3
Resistividade da Eletricidade 102 Ω/cm
Resistência Flexural 590 MPa (6000kgf/cm2)
Módulo de Young 450 GPa (6000kgf/mm2)
Dureza Vickers 26 GPa (2650kgf/mm2)
CTE (RT-1000 ℃) 4.0 x10-6/K
Condutividade Térmica (TR) 250 C/mK


Oficina de produção


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