VeTek Semiconductor é um fabricante líder e inovador de chuveiro de SiC na China. Somos especializados em material de SiC há muitos anos. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.
Você pode ter a certeza de comprar o chuveiro SiC de nossa fábrica.
Os materiais de carboneto de silício possuem uma combinação única de excelentes propriedades térmicas, elétricas e químicas, tornando-os ideais para aplicações na indústria de semicondutores onde são necessários materiais de alto desempenho.
A tecnologia revolucionária da VeTek Semiconductor permite a produção de SiC Shower Head, um material de carboneto de silício de altíssima pureza criado através do processo de Deposição Química de Vapor.
O chuveiro SiC é um componente crucial na fabricação de semicondutores, projetado especificamente para sistemas MOCVD, epitaxia de silício e processos de epitaxia de SiC. Feito de carboneto de silício sólido (SiC) robusto, este componente pode suportar condições extremas de processamento de plasma e aplicações de alta temperatura.
O carboneto de silício (SiC) é conhecido por sua alta condutividade térmica, resistência à corrosão química e resistência mecânica excepcional, tornando-o um material ideal para componentes de SiC a granel, como o chuveiro de SiC. O chuveiro a gás garante uma distribuição uniforme dos gases do processo sobre a superfície do wafer, o que é essencial para a produção de camadas epitaxiais de alta qualidade. Os anéis de foco e de borda, geralmente feitos de CVD-SiC, mantêm a distribuição uniforme do plasma e protegem a câmara contra contaminação, aumentando a eficiência e o rendimento do crescimento epitaxial.
Com seu controle preciso do fluxo de gás e excelentes propriedades de material, o chuveiro de SiC é um componente chave no processamento moderno de semicondutores, suportando aplicações avançadas em epitaxia de silício e epitaxia de SiC.
A VeTek Semiconductor oferece um chuveiro semicondutor de carboneto de silício sinterizado de baixa resistividade. Temos a capacidade de projetar e fornecer materiais cerâmicos avançados utilizando uma variedade de recursos exclusivos.
Propriedades físicas do SiC Sólido | |||
Densidade | 3.21 | g/cm3 | |
Resistividade da Eletricidade | 102 | Ω/cm | |
Resistência Flexural | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
Módulo de Young | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
Dureza Vickers | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
CTE (RT-1000 ℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Condutividade Térmica (TR) | 250 | C/mK |