VeTek Semiconductor é um fabricante líder e inovador de anel de foco de gravação de SiC sólido na China. Somos especializados em material de SiC há muitos anos. erosão. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.
Você pode ter a certeza de comprar o anel de foco de gravação Solid SiC de nossa fábrica. A tecnologia revolucionária da VeTek Semiconductor permite a produção do Solid SiC Etching Focusing Ring, um material de carboneto de silício de altíssima pureza criado através do processo de Deposição Química de Vapor.
O anel de foco de gravação de SiC sólido é usado em processos de fabricação de semicondutores, particularmente em sistemas de gravação de plasma. O anel de foco de gravação de SiC sólido é um componente crucial que ajuda a obter uma gravação precisa e controlada de wafers de carboneto de silício (SiC).
1. Focalizando o plasma: O anel de foco de gravação de SiC sólido ajuda a moldar e concentrar o plasma ao redor do wafer, garantindo que o processo de gravação ocorra de maneira uniforme e eficiente. Ajuda a confinar o plasma à área desejada, evitando corrosão perdida ou danos às regiões circundantes.
2. Protegendo as paredes da câmara: O anel de focagem atua como uma barreira entre o plasma e as paredes da câmara, evitando contato direto e possíveis danos. O SiC é altamente resistente à erosão plasmática e oferece excelente proteção para as paredes da câmara.
3.Controle de temperatura: O anel de foco auxilia na manutenção da distribuição uniforme de temperatura em todo o wafer durante o processo de gravação. Ajuda a dissipar o calor e evita superaquecimento localizado ou gradientes térmicos que podem afetar os resultados da gravação.
O SiC sólido é escolhido para anéis de foco devido à sua excelente estabilidade térmica e química, alta resistência mecânica e resistência à erosão por plasma. Essas propriedades tornam o SiC um material adequado para as condições adversas e exigentes dentro dos sistemas de gravação a plasma.
Vale a pena notar que o design e as especificações dos anéis de foco podem variar dependendo do sistema específico de gravação a plasma e dos requisitos do processo. VeTek Semiconductor otimiza a forma, dimensões e características de superfície dos anéis de foco para garantir desempenho de gravação e longevidade ideais. O SiC sólido é amplamente utilizado para transportadores de wafer, susceptores, wafer fictício, anéis guia, peças para processo de gravação, processo CVD, etc.
Propriedades físicas do SiC Sólido | |||
Densidade | 3.21 | g/cm3 | |
Resistividade da Eletricidade | 102 | Ω/cm | |
Resistência à Flexão | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
Módulo de Young | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
Dureza Vickers | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
CTE (RT-1000 ℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Condutividade Térmica (TR) | 250 | C/mK |