Susceptor de barril revestido de SiC para LPE PE2061S

VeTek Semiconductor é um susceptor de barril revestido de SiC da China profissional paraLPE PE2061Sfabricante e fornecedor.

O susceptor de barril revestido com SiC VeTeK Semiconductor para LPE PE2061S é um produto de alto desempenho criado pela aplicação de uma fina camada de carboneto de silício na superfície de grafite isotrópica altamente purificada. Isto é conseguido através do software proprietário da VeTeK SemiconductorDeposição Química de Vapor (CVD)processo.

Nosso susceptor de barril revestido de SiC para LPE PE2061S é um tipo de reator de barril de deposição epitaxial CVD projetado para fornecer desempenho confiável em ambientes extremos. Sua excepcional adesão de revestimento, resistência à oxidação em altas temperaturas e resistência à corrosão o tornam uma excelente escolha para uso em condições adversas. Além disso, seu perfil térmico uniforme e padrão de fluxo de gás laminar evitam a contaminação, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade.

O design em forma de barril do nosso semicondutorreator epitaxialotimiza padrões de fluxo de gás laminar, garantindo distribuição uniforme de calor. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas,garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade em substratos de wafer.

Estamos empenhados em fornecer aos nossos clientes produtos de alta qualidade e com boa relação custo-benefício. Nosso Susceptor de Barril revestido com CVD SiC oferece a vantagem de competitividade de preços, mantendo excelente densidade tanto para osubstrato de grafiteerevestimento de carboneto de silício, fornecendo proteção confiável em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

DADOS SEM DA ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC:

O susceptor de barril revestido com SiC para crescimento de cristal único exibe uma suavidade superficial muito alta.

Minimiza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e

revestimento de carboneto de silício, melhorando efetivamente a resistência da ligação e evitando rachaduras e delaminação.

Tanto o substrato de grafite quanto o revestimento de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes capacidades de distribuição térmica.

Tem um alto ponto de fusão, alta temperaturaresistência à oxidação, eresistência à corrosão.