aquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silício

Semicondutor VeTek Aquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silíciocombina a excelente condutividade elétrica e térmica do grafite com a resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e resistência ao desgaste do revestimento cerâmico de carbono e silício e é projetado para ambientes agressivos de fabricação de semicondutores. 

Aquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silícioé usado principalmente em equipamentos de revestimento a vácuo (evaporação), e os métodos comumente usados ​​são PCD (Secagem Química por Plasma) e PVD (Deposição Física de Vapor). Este produto tem desempenhado um papel importante na promoção do progresso tecnológico e na melhoria da eficiência da produção na indústria de semicondutores.Esperamos sinceramente uma maior cooperação com você.

O material e as características estruturais do aquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silício são os seguintes:

Substrato de grafite: A grafite é conhecida por sua alta condutividade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica. Pode responder rapidamente às mudanças de temperatura e manter a estabilidade estrutural em altas temperaturas.

Revestimento cerâmico de carbono de silício: O revestimento de SiC é revestido uniformemente na superfície do grafite por meio de deposição química de vapor ou outros processos avançados. O SiC possui dureza extremamente alta e resistência à corrosão química, o que pode proteger o substrato de grafite da oxidação em alta temperatura e de ambientes corrosivos.

O projeto estrutural do produto especial do Aquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silício determinaas vantagens insubstituíveis deste produto no processo de processamento de semicondutores:

Aquecimento eficiente e uniforme:

Condutividade térmica: A alta condutividade térmica do grafite permite que o aquecedor atinja e mantenha rapidamente a temperatura necessária, e o revestimento de SiC garante uma distribuição uniforme do calor. Isto é especialmente importante para processos de semicondutores que requerem controle preciso de temperatura, como processamento térmico rápido (RTP) e deposição química de vapor (CVD).

Uniformidade de temperatura: Através da distribuição uniforme de calor, o aquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silício pode efetivamente reduzir o estresse térmico e o gradiente de temperatura, garantindo a consistência e estabilidade de qualidade dos wafers semicondutores durante todo o processo de aquecimento.

Proteção anticorrosiva:

Resistência química: A resistência à corrosão química do revestimento de SiC permite que o aquecedor opere de forma estável e por um longo tempo em gases corrosivos e ambientes químicos, evitando danos ao substrato de grafite. Esta característica é particularmente crítica em processos como deposição química de vapor (CVD) e deposição química de vapor aprimorada por plasma (PECVD).

Resistência à oxidação: Em altas temperaturas, o revestimento de SiC pode prevenir a oxidação do substrato de grafite, prolongar a vida útil do aquecedor e reduzir a frequência e o custo de manutenção do equipamento.

Reduza a contaminação por partículas:

Estabilidade de superfície: O revestimento de SiC não é apenas resistente ao desgaste, mas também evita que partículas caiam da superfície do material devido a ciclos térmicos ou reações químicas, reduzindo assim o risco de contaminação por partículas que pode ocorrer durante a fabricação de semicondutores e garantindo um ambiente de processo de alta limpeza.

Melhore a confiabilidade e a eficiência do processo:

Design de longa duração: Devido à combinação da resistência mecânica do grafite e da resistência ao desgaste do revestimento SiC, o aquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silício pode manter uma operação de alta eficiência por um longo tempo sob condições de processo adversas, melhorando significativamente a confiabilidade geral do equipamento.

Utilização eficiente de energia: A alta condutividade térmica do grafite e a estabilidade em altas temperaturas do revestimento de SiC permitem que o aquecedor reduza o consumo de energia enquanto melhora a precisão do controle de temperatura, melhorando assim a eficiência geral da produção de semicondutores.

Propriedades físicas básicas deAquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silício:

Semicondutor VeTekAquecedor de grafite com revestimento cerâmico de carboneto de silíciolojas:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

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