Parte superior em meia lua revestida com SiC

A VeTek Semiconductor é fornecedora líder de parte superior meia lua revestida com SiC na China, especializada em materiais avançados há mais de 20 anos. VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part revestido com SiC é projetado especificamente para equipamentos epitaxiais de SiC, servindo como um componente crucial na câmara de reação. Feito de grafite ultrapuro de grau semicondutor, garante excelente desempenho. Convidamos você a visitar nossa fábrica na China.

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Descrição do produto

Como fabricante profissional, gostaríamos de fornecer a você parte superior de meia lua revestida com SiC de alta qualidade.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part revestido com SiC é projetado especificamente para a câmara epitaxial de SiC. Possuem uma ampla gama de aplicações e são compatíveis com diversos modelos de equipamentos.

Cenário de aplicação:

Na VeTek Semiconductor, nos especializamos na fabricação de peças Upper Halfmoon com revestimento SiC de alta qualidade. Nossos produtos revestidos com SiC e TaC são projetados especificamente para câmaras epitaxiais de SiC e oferecem ampla compatibilidade com diferentes modelos de equipamentos.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part revestido com SiC serve como componentes na câmara epitaxial de SiC. Garantem condições de temperatura controlada e contato indireto com wafers, mantendo o teor de impurezas abaixo de 5 ppm.

Para garantir a qualidade ideal da camada epitaxial, monitoramos cuidadosamente parâmetros críticos, como espessura e uniformidade da concentração de dopagem. Nossa avaliação inclui a análise de dados de espessura do filme, concentração de transportadores, uniformidade e rugosidade superficial para obter a melhor qualidade do produto.

O VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part revestido com SiC é compatível com vários modelos de equipamentos, incluindo LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH e muito mais.

Entre em contato conosco hoje para explorar nossa parte superior Halfmoon Part SiC de alta qualidade revestida ou agende uma visita à nossa fábrica.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura de cristal	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1