China Epitaxia de Silício Fabricante, fornecedor, fábrica

Epitaxia de Silício, EPI, Epitaxia, Epitaxial refere-se ao crescimento de uma camada de cristal com a mesma direção de cristal e diferentes espessuras de cristal em um único substrato de silício cristalino. A tecnologia de crescimento epitaxial é necessária para a fabricação de componentes discretos semicondutores e circuitos integrados, porque as impurezas contidas nos semicondutores incluem o tipo N e o tipo P. Através de uma combinação de diferentes tipos, os dispositivos semicondutores exibem uma variedade de funções.

O método de crescimento de epitaxia de silício pode ser dividido em epitaxia de fase gasosa, epitaxia de fase líquida (LPE), epitaxia de fase sólida, método de crescimento de deposição de vapor químico é amplamente utilizado no mundo para atender à integridade da rede.

O equipamento epitaxial de silício típico é representado pela empresa italiana LPE, que possui tor hipnótico epitaxial panqueca, tor hipnótico tipo barril, hipnótico semicondutor, transportador de wafer e assim por diante. O diagrama esquemático da câmara de reação do hypector epitaxial em forma de barril é o seguinte. A VeTek Semiconductor pode fornecer um hy pector epitaxial de wafer em forma de barril. A qualidade do pelector HY revestido com SiC é muito madura. Qualidade equivalente a SGL; Ao mesmo tempo, a VeTek Semiconductor também pode fornecer bocal de quartzo com cavidade de reação epitaxial de silício, defletor de quartzo, redoma de vidro e outros produtos completos.

Suceptor Epitaxial Vertical para Epitaxia de Silício:

Suceptor Epitaxial de Silício Susceptor de wafer tipo barril Receptor semicondutor Susceptor revestido de SiC

Suceptor Epitaxial Horizontal para Epitaxia de Silício:

Se o receptor epitaxial Apanhador de Panquecas Susceptor revestido de SiC