Susceptor de barril revestido de SiC

VeTek Semiconductor é um dos principais fabricantes, fornecedores e exportadores de revestimento SiC e revestimento TaC na China. Aderindo à busca da perfeita qualidade dos produtos, para que nossa Susceptor de barril revestido de SiC tenha sido atendida por muitos clientes. Design extremo, matérias-primas de qualidade, alto desempenho e preço competitivo são o que todo cliente deseja e é isso também que podemos oferecer. Claro, também essencial é o nosso serviço pós-venda perfeito. Se você está interessado em nossos serviços de Susceptor de Barril Revestido de SiC, pode nos consultar agora, responderemos a tempo!

O susceptor de barril revestido de SiC VeTek Semiconductor é usado principalmente para reatores LPE Si EPI

A epitaxia de silício LPE (Epitaxia de fase líquida) é uma técnica de crescimento epitaxial de semicondutor comumente usada para depositar camadas finas de silício monocristalino em substratos de silício. É um método de crescimento em fase líquida baseado em reações químicas em uma solução para atingir o crescimento de cristais.

O princípio básico da epitaxia de silício LPE envolve a imersão do substrato em uma solução contendo o material desejado, controlando a temperatura e a composição da solução, permitindo que o material na solução cresça como uma camada de silício monocristalino. 

na superfície do substrato. Ao ajustar as condições de crescimento e a composição da solução durante o crescimento epitaxial, a qualidade desejada do cristal, a espessura e a concentração de dopagem podem ser alcançadas.

A epitaxia de silício LPE oferece diversas características e vantagens. Primeiramente, pode ser realizado em temperaturas relativamente baixas, reduzindo o estresse térmico e a difusão de impurezas no material. Em segundo lugar, a epitaxia de silício LPE oferece alta uniformidade e excelente qualidade de cristal, adequada para a fabricação de dispositivos semicondutores de alto desempenho. Além disso, a tecnologia LPE permite o crescimento de estruturas complexas, como multicamadas e heteroestruturas.

Na epitaxia de silício LPE, o Susceptor de Barril Revestido com SiC é um componente epitaxial crucial. É normalmente usado para reter e apoiar os substratos de silício necessários para o crescimento epitaxial, ao mesmo tempo que fornece controle de temperatura e atmosfera. O revestimento SiC aumenta a durabilidade em altas temperaturas e a estabilidade química do susceptor, atendendo aos requisitos do processo de crescimento epitaxial. Ao utilizar o Susceptor de Barril Revestido com SiC, a eficiência e a consistência do crescimento epitaxial podem ser melhoradas, garantindo o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC