Se o receptor EPI

VeTek Semiconductor é uma fábrica que combina usinagem de precisão e recursos de revestimento de semicondutores SiC e TaC. O Si Epi Susceptor tipo barril fornece recursos de controle de temperatura e atmosfera, aumentando a eficiência da produção em processos de crescimento epitaxial de semicondutores.

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Descrição do produto

A seguir está a introdução do Si Epi Susceptor de alta qualidade, na esperança de ajudá-lo a entender melhor o Si Epi Susceptor tipo barril. Bem-vindos, novos e antigos clientes, para continuar a cooperar conosco para criar um futuro melhor!

Um Reator Epitaxial é um dispositivo especializado usado para crescimento epitaxial na fabricação de semicondutores. O Susceptor Barrel Type Si Epi fornece um ambiente que controla a temperatura, a atmosfera e outros parâmetros-chave para depositar novas camadas de cristal na superfície do wafer.

A principal vantagem do Barrel Type Si Epi Susceptor é sua capacidade de processar vários chips simultaneamente, o que aumenta a eficiência da produção. Geralmente tem vários suportes ou grampos para segurar vários wafers, de modo que vários wafers possam ser cultivados ao mesmo tempo no mesmo ciclo de crescimento. Esse recurso de alto rendimento reduz os ciclos e custos de produção e melhora a eficiência da produção.

Além disso, o Susceptor Barrel Type Si Epi oferece controle otimizado de temperatura e atmosfera. É equipado com um avançado sistema de controle de temperatura capaz de controlar e manter com precisão a temperatura de crescimento desejada. Ao mesmo tempo, proporciona um bom controle da atmosfera, garantindo que cada chip seja cultivado nas mesmas condições atmosféricas. Isso ajuda a obter um crescimento uniforme da camada epitaxial e a melhorar a qualidade e a consistência da camada epitaxial.

No Susceptor Si Epi Tipo Barril, o chip geralmente atinge distribuição uniforme de temperatura e transferência de calor por meio de fluxo de ar ou fluxo de líquido. Esta distribuição uniforme de temperatura ajuda a evitar a formação de pontos quentes e gradientes de temperatura, melhorando assim a uniformidade da camada epitaxial.

Outra vantagem é que o Barrel Type Si Epi Susceptor oferece flexibilidade e escalabilidade. Ele pode ser ajustado e otimizado para diferentes materiais epitaxiais, tamanhos de chips e parâmetros de crescimento. Isso permite que pesquisadores e engenheiros conduzam rápido desenvolvimento e otimização de processos para atender às necessidades de crescimento epitaxial de diferentes aplicações e requisitos.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura de cristal	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1