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Susceptor de grafite revestido com TaC
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Susceptor de grafite revestido com TaC

O susceptor de grafite revestido com TaC da VeTek Semiconductor usa o método de deposição química de vapor (CVD) para preparar o revestimento de carboneto de tântalo na superfície das peças de grafite. Este processo é o mais maduro e possui as melhores propriedades de revestimento. O susceptor de grafite revestido com TaC pode prolongar a vida útil dos componentes de grafite, inibir a migração de impurezas de grafite e garantir a qualidade da epitaxia. A VeTek Semiconductor está aguardando sua consulta.

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Descrição do produto

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O ponto de fusão do material cerâmico de carboneto de tântalo até 3880 ℃, é um alto ponto de fusão e boa estabilidade química do composto, seu ambiente de alta temperatura ainda pode manter um desempenho estável, além disso, também possui resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão química, boa resistência química e compatibilidade mecânica com materiais de carbono e outras características, tornando-o um material de revestimento protetor de substrato de grafite ideal. O revestimento de carboneto de tântalo pode proteger eficazmente os componentes de grafite da influência de amônia quente, vapor de hidrogênio e silício e metal fundido no ambiente de uso hostil, prolongar significativamente a vida útil dos componentes de grafite e inibir a migração de impurezas na grafite, garantindo a qualidade da epitaxia e do crescimento do cristal. É usado principalmente no processo de cerâmica úmida.

A deposição química de vapor (CVD) é o método de preparação mais maduro e ideal para revestimento de carboneto de tântalo na superfície do grafite.


Método de revestimento CVD TaC para susceptor de grafite revestido com TaC:

O processo de revestimento utiliza TaCl5 e propileno como fonte de carbono e fonte de tântalo, respectivamente, e argônio como gás de arraste para trazer vapor de pentacloreto de tântalo para a câmara de reação após gaseificação em alta temperatura. Sob a temperatura e pressão alvo, o vapor do material precursor é adsorvido na superfície da parte de grafite, e ocorre uma série de reações químicas complexas, como decomposição e combinação de fonte de carbono e fonte de tântalo. Ao mesmo tempo, uma série de reações superficiais, como difusão do precursor e dessorção de subprodutos, também estão envolvidas. Finalmente, uma densa camada protetora é formada na superfície da peça de grafite, que protege a peça de grafite de ser estável sob condições ambientais extremas. Os cenários de aplicação de materiais de grafite são significativamente ampliados.


Parâmetro do produto do susceptor de grafite revestido com TaC:

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade 14,3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3 10-6/K
Dureza (HK) 2.000 Hong Kong
Resistência 1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500℃
Mudanças no tamanho do grafite -10~-20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um±10um)


Lojas de produção:


Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:


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