Mandril de revestimento TaC

O mandril de revestimento TaC da VeTek Semiconductor é a solução ideal para obter resultados excepcionais no processo SiC EPI. Com seu revestimento TaC, resistência a altas temperaturas e inércia química, nosso produto permite que você produza cristais de alta qualidade com precisão e confiabilidade.

TaC (carboneto de tântalo) é um material comumente usado para revestir a superfície de peças internas de equipamentos epitaxiais. Possui as seguintes características:

● Excelente resistência a altas temperaturas: Os revestimentos TaC podem suportar temperaturas de até 2.200°C, tornando-os ideais para aplicações em ambientes de alta temperatura, como câmaras de reação epitaxiais.

● Alta dureza: A dureza do TaC atinge cerca de 2.000 HK, que é muito mais dura do que o aço inoxidável ou liga de alumínio comumente usado, o que pode prevenir eficazmente o desgaste da superfície.

● Forte estabilidade química: O revestimento TaC funciona bem em ambientes quimicamente corrosivos e pode prolongar significativamente a vida útil dos componentes do equipamento epitaxial.

● Boa condutividade elétrica: O revestimento TaC tem boa condutividade elétrica, o que favorece a liberação eletrostática e a condução de calor.

Essas propriedades tornam o revestimento TaC um material ideal para a fabricação de peças críticas, como buchas internas, paredes da câmara de reação e elementos de aquecimento para equipamentos epitaxiais. Ao revestir estes componentes com TaC, o desempenho geral e a vida útil do equipamento epitaxial podem ser melhorados.

Para a epitaxia de carboneto de silício, o pedaço de revestimento TaC também pode desempenhar um papel importante. A superfície do TaC o revestimento é liso e denso, o que conduz à formação de filmes de carboneto de silício de alta qualidade. Ao mesmo tempo, a excelente condutividade térmica do TaC pode ajudar a melhorar a uniformidade da distribuição de temperatura dentro do equipamento, melhorando assim a precisão do controle de temperatura do processo epitaxial e, finalmente, alcançando um crescimento da camada epitaxial de carboneto de silício de maior qualidade.