Mandril de revestimento TaC
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Mandril de revestimento TaC

O mandril de revestimento TaC da VeTek Semiconductor apresenta um revestimento TaC de alta qualidade, conhecido por sua excelente resistência a altas temperaturas e inércia química, especialmente em processos de epitaxia (EPI) de carboneto de silício (SiC). Com suas características excepcionais e desempenho superior, nosso mandril de revestimento TaC oferece várias vantagens importantes. Estamos comprometidos em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos e esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

O mandril de revestimento TaC da VeTek Semiconductor é a solução ideal para obter resultados excepcionais no processo SiC EPI. Com seu revestimento TaC, resistência a altas temperaturas e inércia química, nosso produto permite que você produza cristais de alta qualidade com precisão e confiabilidade.

TaC (carboneto de tântalo) é um material comumente usado para revestir a superfície de peças internas de equipamentos epitaxiais. Possui as seguintes características:

Excelente resistência a altas temperaturas: Os revestimentos TaC podem suportar temperaturas de até 2.200°C, tornando-os ideais para aplicações em ambientes de alta temperatura, como câmaras de reação epitaxiais.

Alta dureza: A dureza do TaC atinge cerca de 3.000-4.000 HV, que é muito mais dura do que o aço inoxidável ou liga de alumínio comumente usado, o que pode prevenir eficazmente o desgaste da superfície.

Forte estabilidade química: o revestimento TaC funciona bem em ambientes quimicamente corrosivos e pode prolongar significativamente a vida útil dos componentes do equipamento epitaxial.

Boa condutividade elétrica: O revestimento TaC possui boa condutividade elétrica, o que favorece a liberação eletrostática e a condução de calor.

Essas propriedades tornam o revestimento TaC um material ideal para a fabricação de peças críticas, como buchas internas, paredes da câmara de reação e elementos de aquecimento para equipamentos epitaxiais. Ao revestir estes componentes com TaC, o desempenho geral e a vida útil do equipamento epitaxial podem ser melhorados.

Para a epitaxia de carboneto de silício, o pedaço de revestimento TaC também pode desempenhar um papel importante. A superfície do revestimento TaC é lisa e densa, o que conduz à formação de filmes de carboneto de silício de alta qualidade. Ao mesmo tempo, a excelente condutividade térmica do TaC pode ajudar a melhorar a uniformidade da distribuição de temperatura dentro do equipamento, melhorando assim a precisão do controle de temperatura do processo epitaxial e, finalmente, alcançando um crescimento da camada epitaxial de carboneto de silício de maior qualidade.


Parâmetro do produto do pedaço de revestimento TaC:

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade 14,3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3 10-6/K
Dureza (HK) 2.000 Hong Kong
Resistência 1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500℃
Mudanças no tamanho do grafite -10~-20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um±10um)


Cadeia Industrial:


Oficina de produção


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