O susceptor planetário de revestimento VeTek Semiconductor'TaC é um produto excepcional para equipamentos de epitaxia Aixtron. O robusto revestimento TaC oferece excelente resistência a altas temperaturas e inércia química. Esta combinação única garante desempenho confiável e longa vida útil, mesmo em ambientes exigentes. A VeTek está comprometida em fornecer produtos de alta qualidade e servir como parceira de longo prazo no mercado chinês com preços competitivos.
No domínio da fabricação de semicondutores, o Susceptor Planetário de Revestimento TaC desempenha um papel crucial. É amplamente utilizado no crescimento de camadas epitaxiais de carboneto de silício (SiC) em equipamentos como o sistema Aixtron G5. Além disso, quando usado como disco externo na deposição de revestimento de carboneto de tântalo (TaC) para epitaxia de SiC, o Susceptor Planetário de Revestimento TaC fornece suporte e estabilidade essenciais. Garante a deposição uniforme da camada de carboneto de tântalo, contribuindo para a formação de camadas epitaxiais de alta qualidade com excelente morfologia superficial e espessura de filme desejada. A inércia química do revestimento TaC evita reações indesejadas e contaminação, mantendo a integridade das camadas epitaxiais e garantindo sua qualidade superior.
A excepcional condutividade térmica do revestimento TaC permite uma transferência de calor eficiente, promovendo distribuição uniforme de temperatura e minimizando o estresse térmico durante o processo de crescimento epitaxial. Isso resulta na produção de camadas epitaxiais de SiC de alta qualidade com propriedades cristalográficas aprimoradas e condutividade elétrica aprimorada.
As dimensões precisas e a construção robusta do disco planetário com revestimento TaC facilitam a integração em sistemas existentes, garantindo compatibilidade perfeita e operação eficiente. Seu desempenho confiável e revestimento TaC de alta qualidade contribuem para resultados consistentes e uniformes em processos de epitaxia de SiC.
Confie na VeTek Semiconductor e em nosso disco planetário com revestimento TaC para obter desempenho e confiabilidade excepcionais em epitaxia de SiC. Experimente as vantagens de nossas soluções inovadoras, posicionando você na vanguarda dos avanços tecnológicos na indústria de semicondutores.
Propriedades físicas do revestimento TaC | |
Densidade | 14,3 (g/cm³) |
Emissividade específica | 0.3 |
Coeficiente de expansão térmica | 6,3 10-6/K |
Dureza (HK) | 2.000 Hong Kong |
Resistência | 1×10-5 Ohm*cm |
Estabilidade térmica | <2500℃ |
Mudanças no tamanho do grafite | -10~-20um |
Espessura do revestimento | ≥20um valor típico (35um±10um) |