Susceptor de revestimento TaC

A VeTek Semiconductor apresenta o Susceptor de Revestimento TaC. Com seu excepcional revestimento TaC, este susceptor oferece uma infinidade de vantagens que o diferenciam das soluções convencionais. Integrando-se perfeitamente aos sistemas existentes, o Susceptor de Revestimento TaC da VeTek Semiconductor garante compatibilidade e operação eficiente. Seu desempenho confiável e revestimento TaC de alta qualidade fornecem consistentemente resultados excepcionais em processos de epitaxia de SiC. Estamos comprometidos em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos e esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

O susceptor e o anel revestidos com TaC da VeTek Semiconductor trabalham juntos no reator de crescimento epitaxial de carboneto de silício LPE:

Resistência a altas temperaturas: O susceptor de revestimento TaC possui excelente resistência a altas temperaturas, capaz de suportar temperaturas extremas de até 1500°C no reator LPE. Isso garante que o equipamento e os componentes não se deformem ou sejam danificados durante a operação a longo prazo.

Estabilidade Química: O susceptor de revestimento TaC funciona excepcionalmente bem no ambiente corrosivo de crescimento de carboneto de silício, protegendo efetivamente os componentes do reator contra ataques químicos corrosivos, prolongando assim sua vida útil.

Estabilidade Térmica: O susceptor de revestimento TaC possui boa estabilidade térmica, mantendo a morfologia e rugosidade da superfície para garantir a uniformidade do campo de temperatura no reator, o que é benéfico para o crescimento de alta qualidade das camadas epitaxiais de carboneto de silício.

Anticontaminação: A superfície lisa revestida com TaC e o desempenho superior de TPD (Dessorção Programada por Temperatura) podem minimizar o acúmulo e adsorção de partículas e impurezas dentro do reator, evitando a contaminação das camadas epitaxiais.

Em resumo, o susceptor e o anel revestidos com TaC desempenham um papel protetor crítico no reator de crescimento epitaxial de carboneto de silício LPE, garantindo a operação estável a longo prazo do equipamento e o crescimento de alta qualidade das camadas epitaxiais.

Parâmetro do produto do susceptor de revestimento TaC:

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade	14,3 (g/cm³)
Emissividade específica	0.3
Coeficiente de expansão térmica	6,3 10-6/K
Dureza (HK)	2.000 Hong Kong
Resistência	1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica	<2500℃
Mudanças no tamanho do grafite	-10~-20um
Espessura do revestimento	≥20um valor típico (35um±10um)