VeTek Semiconductor é um fabricante líder e inovador de tampas revestidas de carboneto de tântalo na China. Somos especializados em revestimento TaC e SiC há muitos anos. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.
Encontre uma grande seleção de capas revestidas de carboneto de tântalo da China na VeTek Semiconductor. Fornece serviço pós-venda profissional e o preço certo, ansioso pela cooperação. A tampa revestida de carboneto de tântalo desenvolvida pela VeTek Semiconductor é um acessório projetado especificamente para o sistema AIXTRON G10 MOCVD, com o objetivo de otimizar a eficiência e melhorar a qualidade de fabricação de semicondutores. É meticulosamente fabricado com materiais de alta qualidade e fabricado com a máxima precisão, garantindo excelente desempenho e confiabilidade para processos de deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD).
Construída com um substrato de grafite revestido com carboneto de tântalo (TaC) de deposição química de vapor (CVD), a cobertura revestida de carboneto de tântalo oferece estabilidade térmica excepcional, alta pureza e resistência a temperaturas elevadas. Esta combinação única de materiais fornece uma solução confiável para as exigentes condições operacionais do sistema MOCVD.
A tampa revestida de carboneto de tântalo é personalizável para acomodar vários tamanhos de wafers semicondutores, tornando-a adequada para diversos requisitos de produção. Sua construção robusta foi projetada especificamente para suportar o ambiente desafiador do MOCVD, garantindo desempenho duradouro e minimizando o tempo de inatividade e os custos de manutenção associados aos transportadores e susceptores de wafer.
Ao incorporar a tampa TaC no sistema AIXTRON G10 MOCVD, os fabricantes de semicondutores podem alcançar maior eficiência e resultados superiores. A excepcional estabilidade térmica, compatibilidade com diferentes tamanhos de wafer e desempenho confiável do disco planetário tornam-no uma ferramenta indispensável para otimizar a eficiência da produção e obter resultados excelentes no processo MOCVD.
Propriedades físicas do revestimento TaC | |
Densidade | 14,3 (g/cm³) |
Emissividade específica | 0.3 |
Coeficiente de expansão térmica | 6,3 10-6/K |
Dureza (HK) | 2.000 Hong Kong |
Resistência | 1x10-5Ohm*cm |
Estabilidade térmica | <2500℃ |
Mudanças no tamanho do grafite | -10~-20um |
Espessura do revestimento | ≥20um valor típico (35um±10um) |