Anel guia de carboneto de tântalo
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Anel guia de carboneto de tântalo

VeTek Semiconductor é um fabricante profissional e líder de produtos de anel guia de carboneto de tântalo na China. Nosso anel guia de carboneto de tântalo (TaC) é um componente de anel de alto desempenho feito de carboneto de tântalo, que é comumente usado em equipamentos de processamento de semicondutores, especialmente em ambientes de alta temperatura e altamente corrosivos, como CVD, PVD, gravação e difusão. A VeTek Semiconductor está comprometida em fornecer tecnologia avançada e soluções de produtos para a indústria de semicondutores e agradece suas dúvidas.

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Descrição do produto

Semicondutor VeTekGuia Rin de carboneto de tântalogé elaborado a partir degrafiteerevestido com carboneto de tântalo, uma combinação que aproveita as melhores propriedades de ambos os materiais para garantir desempenho e longevidade superiores.


ORevestimento TaCno anel guia de carboneto de tântalo garante que ele permaneça quimicamente inerte nas atmosferas reativas dos fornos de crescimento de cristais de SiC, que geralmente envolvem gases como hidrogênio, argônio e nitrogênio. Esta inércia química é vital para evitar qualquer contaminação do cristal em crescimento, o que poderia levar a defeitos e redução do desempenho dos produtos semicondutores finais. Além disso, a estabilidade térmica fornecida pelo revestimento TaC permite que o anel guia de revestimento de carboneto de tântalo opere efetivamente nas altas temperaturas exigidas paraCrescimento de cristais de SiC, normalmente excedendo 2.000°C.


Além disso, a combinação de grafite e TaC no anel de revestimento de carboneto de tântalo otimiza o gerenciamento térmico dentro do forno de crescimento de cristal. A alta condutividade térmica do grafite distribui o calor com eficiência, evitando pontos quentes e promovendo o crescimento uniforme de cristais. Enquanto isso, o revestimento de carboneto de tântalo serve como barreira térmica, protegendo o núcleo de grafite da exposição direta a altas temperaturas e gases reativos. Esta sinergia entre o núcleo e os materiais de revestimento resulta em um anel guia que não apenas resiste às duras condições de crescimento do cristal de SiC, mas também aumenta a eficiência geral e a qualidade do processo.


As propriedades mecânicas do carboneto de tântalo semicondutor VeTek reduzem muito o desgaste do anel de revestimento de carboneto de tântalo. Isto é crucial devido à natureza repetitiva doprocesso de crescimento de cristal, o que expõe o anel guia a ciclos térmicos e tensões mecânicas frequentes. A dureza e a resistência ao desgaste do Carboneto de Tântalo garantem que o anel guia mantenha sua integridade estrutural e dimensões precisas por longos períodos, minimizando a necessidade de substituições frequentes e reduzindo o tempo de inatividade no processo de fabricação.


O anel guia de revestimento de carboneto de tântalo VeTek Semiconductor é um componente essencial na indústria de semicondutores, projetado especificamente para o crescimento deCristais de carboneto de silício. Seu design aproveita os pontos fortes do grafite e do carboneto de tântalo para oferecer desempenho excepcional em ambientes de alta temperatura e alto estresse. O revestimento TaC garante inércia química, durabilidade mecânica e estabilidade térmica, fatores essenciais para a produção de cristais de SiC de alta qualidade. Ao manter sua integridade e funcionalidade sob condições extremas, o anel guia suporta o crescimento eficiente e livre de defeitos de cristais de SiC, contribuindo para o avanço de dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência.


Revestimento de carboneto de tântalo (TaC) em uma seção transversal microscópica:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Propriedades físicas do revestimento TaC:


Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade
14,3 (g/cm³)
Emissividade específica
0.3
Coeficiente de expansão térmica
6,3*10-6/K
Dureza (HK)
2.000 Hong Kong
Resistência
1x10-5Ohm*cm
Estabilidade térmica
<2500℃
Mudanças no tamanho do grafite
-10~-20um
Espessura do revestimento
≥20um valor típico (35um±10um)

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