A VeTek Semiconductor é fornecedora líder de meia-lua inferior de grafite ultra pura personalizada na China, especializada em materiais avançados há muitos anos. Nosso Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon foi projetado especificamente para equipamentos epitaxiais de SiC, garantindo excelente desempenho. Feito de grafite importado ultrapuro, oferece confiabilidade e durabilidade. Visite nossa fábrica na China para explorar em primeira mão nosso Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon de alta qualidade.
VeTek Semiconductor é um fabricante profissional dedicado a fornecer meia lua inferior de grafite ultra pura. Nossos produtos Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon são projetados especificamente para câmaras epitaxiais de SiC e oferecem desempenho superior e compatibilidade com diversos modelos de equipamentos.
Características:
Conexão: VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon foi projetado para se conectar com tubos de quartzo, facilitando o fluxo de gás para impulsionar a rotação da base transportadora.
Controle de Temperatura: O produto permite o controle de temperatura, garantindo condições ideais dentro da câmara de reação.
Design sem contato: Instalado dentro da câmara de reação, nosso Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon não entra em contato direto com os wafers, garantindo a integridade do processo.
Cenário de aplicação:
Nosso Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon serve como um componente crítico em câmaras epitaxiais de SiC, onde ajuda a manter o teor de impurezas abaixo de 5 ppm. Ao monitorar de perto parâmetros como espessura e uniformidade da concentração de dopagem, garantimos camadas epitaxiais da mais alta qualidade.
Compatibilidade:
O Halfmoon inferior de grafite ultra puro da VeTek Semiconductor é compatível com uma ampla gama de modelos de equipamentos, incluindo LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH e assim por diante.
Convidamos você a visitar nossa fábrica na China para explorar em primeira mão nosso Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon de alta qualidade.
Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC | |
Propriedade | Valor típico |
Estrutura de cristal | FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
Densidade | 3,21g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho de grão | 2~10μm |
Pureza Química | 99,99995% |
Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimação | 2700°C |
Resistência à Flexão | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Condutividade térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |