Bloco CVD SiC para crescimento de cristais de SiC

A VeTek Semiconductor concentra-se na pesquisa, desenvolvimento e industrialização de fontes a granel CVD-SiC, revestimentos CVD SiC e revestimentos CVD TaC. Tomando como exemplo o bloco CVD SiC para SiC Crystal Growth, a tecnologia de processamento do produto é avançada, a taxa de crescimento é rápida, a resistência a altas temperaturas e a resistência à corrosão são fortes. Bem-vindo a perguntar.

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Descrição do produto

A VeTek Semiconductor usa bloco CVD SiC descartado para crescimento de cristal SiC. O carboneto de silício (SiC) de altíssima pureza produzido por meio de deposição química de vapor (CVD) pode ser usado como material de origem para o cultivo de cristais de SiC por meio de transporte físico de vapor (PVT).

A VeTek Semiconductor é especializada em SiC de partículas grandes para PVT, que possui maior densidade em comparação com material de partículas pequenas formado pela combustão espontânea de gases contendo Si e C.

Ao contrário da sinterização em fase sólida ou da reação de Si e C, o PVT não requer um forno de sinterização dedicado ou uma etapa de sinterização demorada no forno de crescimento.

Atualmente, o rápido crescimento do SiC é normalmente alcançado através da deposição química de vapor em alta temperatura (HTCVD), mas não tem sido usado para produção de SiC em larga escala e são necessárias mais pesquisas.

A VeTek Semiconductor demonstrou com sucesso o método PVT para rápido crescimento de cristais de SiC sob condições de gradiente de alta temperatura usando blocos CVD-SiC triturados para crescimento de cristais de SiC.

SiC é um semicondutor de banda larga com excelentes propriedades, com alta demanda para aplicações de alta tensão, alta potência e alta frequência, especialmente em semicondutores de potência.

Os cristais de SiC são cultivados usando o método PVT a uma taxa de crescimento relativamente lenta de 0,3 a 0,8 mm/h para controlar a cristalinidade.

O rápido crescimento do SiC tem sido um desafio devido a problemas de qualidade, como inclusões de carbono, degradação da pureza, crescimento policristalino, formação de contornos de grãos e defeitos como deslocamentos e porosidade, limitando a produtividade dos substratos de SiC.

Especificações:

Tamanho	Número da peça	Detalhes
Padrão	SC-9	Tamanho da partícula (0,5-12 mm)
Pequeno	SC-1	Tamanho da partícula (0,2-1,2 mm)
Médio	SC-5	Tamanho de partícula (1 -5 mm)

Pureza excluindo nitrogênio: melhor que 99,9999%(6N)

Níveis de impurezas (por espectrometria de massa de descarga luminosa)

Elemento	Pureza
B, AI, P	<1 ppm
Metais totais	<1 ppm

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura de cristal	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência Flexural	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Oficina do fabricante de revestimento SiC:

Cadeia Industrial:

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