Susceptor de barril revestido de CVD SiC

VeTek Semiconductor é um fabricante líder e inovador de susceptor de barril revestido de SiC CVD na China. Nosso susceptor de barril revestido de SiC CVD desempenha um papel fundamental na promoção do crescimento epitaxial de materiais semicondutores em wafers com suas excelentes características de produto. Bem-vindo à sua consulta adicional.

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Descrição do produto

O susceptor de barril revestido CVD SiC semicondutor VeTek é feito sob medida paraprocessos epitaxiaisna fabricação de semicondutores e é uma escolha ideal para melhorar a qualidade e o rendimento do produto. Esta base susceptora de barril de revestimento de SiC adota uma estrutura sólida de grafite e é revestida com precisão com uma camada de SiC porProcesso de DCV, o que o torna excelente condutividade térmica, resistência à corrosão e resistência a altas temperaturas, e pode lidar efetivamente com o ambiente hostil durante o crescimento epitaxial.

Por que escolher o susceptor de barril revestido CVD SiC semicondutor VeTek?

● Aquecimento uniforme para garantir a qualidade da camada epitaxial: A excelente condutividade térmica do revestimento de SiC garante distribuição uniforme de temperatura na superfície do wafer, reduzindo efetivamente os defeitos e melhorando o rendimento do produto.

● Prolongue a vida útil da base: ORevestimento de SiCtem excelente resistência à corrosão e resistência a altas temperaturas, o que pode efetivamente prolongar a vida útil da base e reduzir os custos de produção.

● Melhore a eficiência da produção: O design do barril otimiza o processo de carga e descarga de wafer e melhora a eficiência da produção.

● Aplicável a uma variedade de materiais semicondutores: Esta base pode ser amplamente utilizada no crescimento epitaxial de uma variedade de materiais semicondutores, comoSiCeGaN.

Vantagens do Susceptor de Barril Revestido CVD SiC:

●Excelente desempenho térmico: Alta condutividade térmica e estabilidade térmica garantem a precisão do controle de temperatura durante o crescimento epitaxial.

●Resistência à corrosão: O revestimento SiC pode resistir eficazmente à erosão de altas temperaturas e gases corrosivos, prolongando a vida útil da base.

●Alta resistência: A base de grafite fornece suporte sólido para garantir a estabilidade do processo epitaxial.

●Atendimento personalizado: O semicondutor VeTek pode fornecer serviços personalizados de acordo com as necessidades do cliente para atender a diferentes requisitos de processo.

SEM DADOS DA ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME DE REVESTIMENTO CVD SIC:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade do revestimento SiC	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m^-1·K^-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1